-
公开(公告)号:CN101816060B
公开(公告)日:2012-01-11
申请号:CN200880110286.1
申请日:2008-10-06
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置,在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且,使用该半导体基板,以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。
-
公开(公告)号:CN101816060A
公开(公告)日:2010-08-25
申请号:CN200880110286.1
申请日:2008-10-06
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置,在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且,使用该半导体基板,以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。
-
公开(公告)号:CN101588906B
公开(公告)日:2013-05-29
申请号:CN200780044333.2
申请日:2007-11-14
IPC: B29C45/16 , B29C45/14 , B65D1/24 , B65D85/86 , H01L21/673
CPC classification number: B29C45/1657 , B29C2045/1659 , H01L21/67383 , Y10T428/13 , Y10T428/1352 , Y10T428/24612
Abstract: 本发明提供可从性能的观点出发适当地组合多种成形材料的多色成形体、多色成形法及基板收纳容器。在准备材质互异的第一、第二成形材料,将由第一成形材料构成的一对第一成形体(1)和由第二成形材料构成的第二成形体(3)组合为一体时,各第一成形体(1)和第二成形体(3)的边界(6)的周缘部形成为薄型突片(5)。而且,薄型突片(5)形成为向前端部逐渐变尖的薄型的剖面呈大致直角三角形,尖头的倾斜角度(θ)在5°~40°的范围内,且形成边界(6)的倾斜面(7)的长度(L)为0.4~5.0mm。若使第一、第二成形体(1、3)的边界(6)的周缘部与薄型突片(5)形成为一体,就可以适当且强固地将其组合,因此无需从接合的观点出发再考虑组合。
-
公开(公告)号:CN101588906A
公开(公告)日:2009-11-25
申请号:CN200780044333.2
申请日:2007-11-14
IPC: B29C45/16 , B29C45/14 , B65D1/24 , B65D85/86 , H01L21/673
CPC classification number: B29C45/1657 , B29C2045/1659 , H01L21/67383 , Y10T428/13 , Y10T428/1352 , Y10T428/24612
Abstract: 提供可从性能的观点出发适当地组合多种成形材料的多色成形体、多色成形法及基板收纳容器。在准备材质互异的第一、第二成形材料,将由第一成形材料构成的一对第一成形体(1)和由第二成形材料构成的第二成形体(3)组合为一体时,各第一成形体(1)和第二成形体(3)的边界(6)的周缘部形成为薄型突片(5)。而且,薄型突片(5)形成为向前端部逐渐变尖的薄型的剖面呈大致直角三角形,尖头的倾斜角度(θ)在5°~40°的范围内,且形成边界(6)的倾斜面(7)的长度(L)为0.4~5.0mm。若使第一、第二成形体(1、3)的边界(6)的周缘部与薄型突片(5)形成为一体,就可以适当且强固地将其组合,因此无需从接合的观点出发再考虑组合。
-
-
-