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公开(公告)号：CN101816060B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200880110286.1
申请日：2008-10-06
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。
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公开(公告)号：CN101816060A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880110286.1
申请日：2008-10-06
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/045 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。
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公开(公告)号：CN117859342A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202280056631.8
申请日：2022-06-24
Applicant: 株式会社尼康 , 国立大学法人东北大学
IPC: H04N25/70 , H01L27/146
Abstract: 摄像元件包括：将光转换为电荷的光电转换部；蓄积来自所述光电转换部的电荷的蓄积部；传输路径部，其为从所述光电转换部向所述蓄积部传输电荷的传输路径，且所述传输路径部的电势低于在所述光电转换部的周围形成的像素分离区域；以及测量部，其测量在所述蓄积部中蓄积了规定量的电荷的次数，且测量在所述光电转换部中蓄积的电荷的量。
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公开(公告)号：CN112352164B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201980043486.8
申请日：2019-08-08
Applicant: 国立大学法人东北大学 , OHT株式会社
Abstract: 电容检测区域传感器将多个电容传感器元件配置成二维阵列状，呈任意的形状，并与外部电极电容耦合。向外部电极供电具有电位差的检查信号。针对所选择的与外部电极电容耦合的电容传感器元件，在上述检查信号的第一信号时和第二信号时的定时从上述电容传感器元件获取第一传感器输出信号、第二传感器输出信号。生成将所获取到的第一传感器输出信号、第二传感器输出信号取差分而得的差分信号，并基于差分信号的电平来生成以不同的颜色或者不同的灰度表示外部电极的形状的图像。
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公开(公告)号：CN110679141A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201880035324.5
申请日：2018-04-23
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H04N5/3745 , G01J1/46 , H01L27/146 , H01L31/10
Abstract: 提供兼顾实现了高饱和性能和高灵敏度性能的受光设备。具有受光像素，该受光像素具备：受光元件；第一电容元件(1)，其蓄积通过该受光元件接收光而产生的光电荷；第二电容元件(2)，该电容元件(1)中蓄积的光电荷的量的一部分被传输并蓄积到该第二电容元件(2)；开关单元(S)，其用于进行从所述电容元件(1)向所述电容元件(2)传输光电荷的光电荷传输动作的开启或关闭；复位用开关单元(R)，其用于将所述电容元件(1)和所述电容元件(2)复位；像素选择用开关单元(X)；以及源极跟随开关单元(SF)，其中，所述电容元件(1)的有效饱和电容(1)是所述电容元件(2)的有效饱和电容(2)的10倍～5000倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107003236A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063098.8
申请日：2015-11-20
Applicant: 株式会社富士金 , 国立大学法人东北大学
IPC: G01N21/27 , C23C16/52 , G01N21/33 , H01L21/205
Abstract: 提供一种能够通过简单的方法以不破坏的方式准确且迅速地测定规定的化学成分的直至极微量区域的浓度的浓度测定方法以及能够准确、迅速且实时地测定被测定对象中的化学成分的直至纳米级的极微量浓度范围的浓度、并具备在各种形态和方式中能够被具体化的万能性的浓度测定方法。利用分时法向被测定对象分别照射针对被测定对象而言的光吸收率不同的第一波长的光和第二波长的光，由共通的光接收传感器接收通过各波长的光的该照射而从被测定对象以光学的方式通过的各波长的光，形成同该接收相应地从所述光接收传感器输出的同第一波长的光相关的信号与同第二波长的光相关的信号的差动信号，根据该差动信号导出被测定对象中的化学成分的浓度。
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公开(公告)号：CN102017161A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115221.0
申请日：2009-04-10
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
IPC: H01L29/786 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L27/0883 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/458 , H01L29/78654 , H01L29/78696
Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于电源电压的偏差。
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公开(公告)号：CN116867433A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202280015154.0
申请日：2022-02-17
Applicant: 古河电气工业株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: A61B5/1455
Abstract: 生物体信息测定装例如具备：散射率算出部，其根据照射到生物体并透射该生物体或在该生物体反射的光的受光强度，来算出生物体内的媒介与该媒介中所含的粒子的界面处的光的散射率；和浓度指标算出部，其基于界面处的光的散射率与和媒介中所含的粒子不同的对象物质的媒介中的浓度所对应的浓度指标的相关关系，来算出与由散射率算出部算出的光的散射率对应的浓度指标。对象物质可以是葡萄糖，媒介可以是血浆，粒子可以是血球。
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公开(公告)号：CN109804466B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201680089904.3
申请日：2016-10-07
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/336 , H01L29/78 , H04N25/44 , H04N25/57
Abstract: 本发明的课题之一在于提供一种对于工业的进一步发展、实现更放心更安全的社会作出较大贡献的光传感器、固体摄像装置以及它们的信号读出方法。本发明的解决方案之一是一种光传感器，具有受光元件、蓄积电荷的蓄积电容以及用于将通过输入到所述受光元件的光所产生的电荷传送到所述蓄积电容的传送开关，在该光传感器中，所述蓄积电容为浮动扩散电容和横向溢出蓄积电容，所述传送开关为LDD/MOS晶体管，并且使其漏极区域中的杂质浓度成为特定的浓度。
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公开(公告)号：CN107112334A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580062460.X
申请日：2015-11-16
Applicant: 国立大学法人东北大学
IPC: H01L27/146 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/78 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3559 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/14612 , H01L27/14656 , H01L27/14689 , H01L28/40 , H01L29/78 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明的一个课题在于提供一种对进一步发展产业、实现更放心更安全的社会作出大的贡献的光传感器、固体摄像装置以及它们的信号读出方法驱动。本发明的一个解决方法是一种光传感器，该光传感器具有受光元件、用于蓄积电荷的蓄积电容、以及用于将通过输入到所述受光元件的光所产生的电荷传送到所述蓄积电容的传送开关，在该光传感器中，所述蓄积电容是浮动扩散电容和横向溢出蓄积电容，所述传送开关是非LDD/MOS晶体管，且该传送开关的漏极区域中的杂质浓度为少50％的浓度的非LDD/MOS晶体管。
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