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公开(公告)号：CN101622699B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880006449.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/02115 , H01L21/0212 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/312 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。
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公开(公告)号：CN101556948B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN1868044B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200480030545.1
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/314
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN101942648A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010226730.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: C23C16/32
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146
Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101622699A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006449.1
申请日：2008-02-22
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/314 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/02115 , H01L21/0212 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/312 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , Y10T156/10 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的层叠绝缘膜，层叠含有Si原子的碳氢层和含有N原子的碳氟层而构成，且上述碳氢层以H原子数与C原子数的比(H/C)为0.8～1.2的比例含有H原子和C原子。该层间绝缘膜在泄漏电流的产生、由热退火引起的膜的缩小受到抑制的同时，具有低介电常数且稳定。
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公开(公告)号：CN101556948A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN1886770B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200480034967.6
申请日：2004-11-26
Applicant: 日本瑞翁株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/3205 , H05B33/14
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2001/133357 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/78636
Abstract: 一种有源矩阵显示装置，包围源极配线、漏极配线及信号线而形成平坦化层，使源极配线、漏极配线及信号线实质上与平坦化层形成同一平面。
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公开(公告)号：CN101563782B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780047515.5
申请日：2007-12-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 日本瑞翁株式会社 , 宇部日东化成株式会社 , 宇部兴产株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/1292 , H01L29/78639
Abstract: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm-x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。
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公开(公告)号：CN100563404C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN03819972.6
申请日：2003-08-25
CPC classification number: H05K1/024 , H05K3/4676 , H05K3/4688
Abstract: 一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。
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