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公开(公告)号：CN101556948A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN101942648A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010226730.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: C23C16/32
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146
Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。
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公开(公告)号：CN101556948B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910135266.6
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/314 , C23C16/32
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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公开(公告)号：CN1868044B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200480030545.1
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 日本瑞翁株式会社
IPC: H01L21/314
Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100533684C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200580028448.3
申请日：2005-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大阳日酸株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/314 , H01L21/768 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为60×10-9体积比以下的C5F8气体，形成碳氟化合物膜，得到热稳定性优异的碳氟化合物膜。在C5F8气体的供给源(1)、与对于晶片(W)使C5F8气体等离子体化并形成碳氟化合物膜的成膜处理部(3)间，设置有填充了具有亲水性或还原作用的表层的物质的精制器(2)，通过将C5F8气体通入精制器(2)，去除C5F8气体的水分，例如将水分含量为20×10-9体积比左右的C5F8气体导入成膜处理部(3)，形成碳氟化合物膜。这样，进入形成的碳氟化合物膜的水分的量极少，在后面的加热工序中不容易发生由膜中的水分所引起的氟的脱离，能够提高膜的热稳定性。
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公开(公告)号：CN1768431A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480009209.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/318 , H01L21/28167 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L29/513 , H01L29/518
Abstract: 为了提供一种由于将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态从而具有良好特性的半导体器件，或者为了提供一种能够将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态的半导体器件的制造方法，在本发明中，配有硅基板、栅电极层和栅绝缘膜，其中所述栅绝缘膜配置在所述硅基板与所述栅电极层之间。而且，所述栅绝缘膜是通过氮化处理金属与硅的混合物而形成的高相对介电常数(high－K)膜。通过使High－K膜本身成为氮化物，可以防止SiO2的生成。
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公开(公告)号：CN101032005A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580028448.3
申请日：2005-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大阳日酸株式会社 , 大见忠弘
IPC: H01L21/314 , H01L21/768 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为60×10－9体积比以下的C5F8气体，形成添加氟的碳膜，得到热稳定性优异的添加氟的碳膜。在C5F8气体的供给源(1)、与对于晶片(W)使C5F8气体等离子体化并形成添加氟的碳膜的成膜处理部(3)间，设置有填充了具有亲水性或还原作用的表层的物质的精制器(2)，通过将C5F8气体通入精制器(2)，去除C5F8气体的水分，例如将水分含量为20×10－9体积比左右的C5F8气体导入成膜处理部(3)，形成添加氟的碳膜。这样，进入形成的添加氟的碳膜的水分的量极少，在后面的加热工序中不容易发生由膜中的水分所引起的氟的脱离，能够提高膜的热稳定性。
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公开(公告)号：CN110364433A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910231945.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/67 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/54
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在将含硅的原料气体和用于将原料气体氮化的氮化气体交替地供给到基板来在基板上形成含硅氮化膜时，以具有期望的应力的方式形成该含硅氮化膜。以包括以下工序的方式进行成膜处理：将原料吸附工序和所述氮化工序交替反复地进行，来在基板(W)上形成含硅氮化膜；在进行所述原料吸附工序和所述氮化工序之前，设定所述含硅氮化膜的应力；以及氮化时间调整工序，以基于第一对应关系及所设定的所述含硅氮化膜的应力所得到的长度来进行所述氮化工序，其中，所述第一对应关系为所述含硅氮化膜的应力与同所述等离子体形成区域(R1～R3)中的氮化时间对应的参数之间的关系。
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公开(公告)号：CN100501939C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580034009.3
申请日：2005-10-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/314 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C5F8气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C4F6离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。
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