公开(公告)号：CN101556948B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200910135266.6

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/314 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN1868044B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200480030545.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN101942648A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010226730.5

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: C23C16/32

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。

公开(公告)号：CN1956155A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610137154.0

申请日：2006-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 北村彰规 ,  本田昌伸 ,  平井希 ,  中村昌洋 ,  杉本达也

IPC: H01L21/311 ,  G05B19/02

Abstract: 以光致抗蚀剂膜作为掩模，在光致抗蚀剂膜上，有选择地等离子体蚀刻SiO2膜，形成通孔。在等离子体蚀刻中，使用包含用CxFyO(x为4或5，y为整数，y/x为1～1.5)表示的含有不饱和氧的碳氟化合物气体的蚀刻气体。作为含有不饱和氧的碳氟化合物气体，使用例如C4F4O气体和C4F6O气体。

公开(公告)号：CN101556948A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910135266.6

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/314 ,  C23C16/32

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN1868044A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030545.1

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种具备由经过了420℃以下的热历史的氟化碳膜构成的绝缘膜的半导体装置。本发明的特征在于，上述氟化碳膜中的氢原子含量在经过上述热历史之前为3原子％以下。

公开(公告)号：CN110637001B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201880032039.8

申请日：2018-06-01

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 杉本达也

IPC: C07C17/20 ,  C07C23/08

Abstract: 一种使1‑氯七氟环戊烯与碱金属氟化物接触得到八氟环戊烯的制造方法。该制造方法包含：氟化工序，在将碱金属氟化物在包含非质子性极性溶剂和比该非质子性极性溶剂沸点高的二醇醚的混合溶剂中悬浊而成的悬浊液维持在85℃以上的同时，对该悬浊液供给1‑氯七氟环戊烯进行氟化，得到八氟环戊烯。

公开(公告)号：CN102026946B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980111856.3

申请日：2009-07-13

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 杉本达也 ,  铃木健文 ,  小名川丈

IPC: C07C17/23 ,  B01J23/644 ,  C07C23/06 ,  C07C23/08 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07C17/23 ,  C07C23/06 ,  C07C23/08

Abstract: 在钯负载量为0.1～2.5重量％的负载型钯催化剂存在的情况下，将通式(I)所示的含氟卤化物通过与氢以气相进行接触，得到通式(II)所示的含氢氟烯烃化合物，其中，相对于所述含氟卤化物，氢为0.1～3摩尔当量。式中，n为0～3整数，X为氯原子、溴原子或者碘原子。

公开(公告)号：CN102026946A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200980111856.3

申请日：2009-07-13

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 杉本达也 ,  铃木健文 ,  小名川丈

IPC: C07C17/23 ,  B01J23/644 ,  C07C23/06 ,  C07C23/08 ,  C07B61/00

CPC classification number: C07C17/23 ,  C07C23/06 ,  C07C23/08

Abstract: 在钯负载量为0.1～2.5重量％的负载型钯催化剂存在的情况下，将通式(I)所示的含氟卤化物通过与氢以气相进行接触，得到通式(II)所示的含氢氟烯烃化合物，其中，相对于所述含氟卤化物，氢为0.1～3摩尔当量。式中，n为0～3整数，X为氯原子、溴原子或者碘原子。

公开(公告)号：CN100359644C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN03816972.X

申请日：2003-07-16

Applicant: 日本瑞翁株式会社

Inventor： 山田俊郎 ,  杉本达也

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C07C17/25 ,  C07C17/2637 ,  C07C21/18 ,  C07C21/22 ,  H01L21/31116

Abstract: 一种干式蚀刻方法，包括：对抗蚀剂膜照射波长195nm以下的放射线，形成最小线宽200nm以下的抗蚀剂图案，接着，使用全氟-2-戊炔或者1，1，1，2，4，4，5，5，5-九氟-2-戊烯、1，1，1，3，4，4，5，5，5-九氟-2-戊烯和全氟-2-戊烯中的至少1种氟代戊烯作为蚀刻气体，干式蚀刻该抗蚀剂图案。