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公开(公告)号：CN100563404C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN03819972.6
申请日：2003-08-25
CPC classification number: H05K1/024 , H05K3/4676 , H05K3/4688
Abstract: 一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。
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公开(公告)号：CN1961622A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580017662.9
申请日：2005-02-24
CPC classification number: H05K1/024 , H05K1/0216 , H05K1/0242 , H05K3/389
Abstract: 为了提供电绝缘层间的粘合性高、并且层间电阻低的电路基板，在具有基体1上形成的第1导体层，和在该第1导体层上形成的第1电绝缘层的电路基板中，第1导体层有0.1nm以上且不足100nm的表面粗糙度Ra，在该第1导体层与第1电绝缘层之间设置以硫醇化合物为主要材料的第1底涂层。由此，可以制得第1导体层与第1电绝缘层之间的粘合性高、并且可适应于高频信号的电路基板。
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公开(公告)号：CN100546438C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200580017662.9
申请日：2005-02-24
CPC classification number: H05K1/024 , H05K1/0216 , H05K1/0242 , H05K3/389
Abstract: 为了提供电绝缘层间的粘合性高、并且层间电阻低的电路基板，在具有基体1上形成的第1导体层，和在该第1导体层上形成的第1电绝缘层的电路基板中，第1导体层有0.1nm以上且不足100nm的表面粗糙度Ra，在该第1导体层与第1电绝缘层之间设置以硫醇化合物为主要材料的第1底涂层。由此，可以制得第1导体层与第1电绝缘层之间的粘合性高、并且可适应于高频信号的电路基板。
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公开(公告)号：CN1947478A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200580013172.1
申请日：2005-03-30
CPC classification number: H05K3/1258 , G02F2001/136295 , G03F7/40 , H01L21/481 , H05K3/0023 , H05K3/0073 , H05K3/1241 , H05K3/184 , H05K2203/0568 , H05K2203/087 , H05K2203/095 , Y10T29/49155
Abstract: 一种电路基板的制造方法，其包括：在绝缘基板上利用旋涂法形成热固性的感光性树脂膜；利用紫外线等的放射线对感光性树脂膜进行曝光并利用显影剂或蚀刻进行显影；将感光性树脂膜加热固化；根据需要进行氧等离子处理或紫外线照射处理，而将该感光性树脂膜干燥来调整树脂膜中的水分量；然后，将其暴露在氟气气氛中并进行退火处理；然后用氢氟酸类药液浸泡树脂膜。
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公开(公告)号：CN1930415A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580007844.8
申请日：2005-02-16
Abstract: 本发明提供了一种处理原料气体的气体制造设备，并防止由气体供给容器引起的原料气体的污染。反应性高的原料气体，特别是氟化烃的气体制造设备和供给容器中的气体接触表面的表面粗糙度，按中心平均粗糙度Ra计为小于或等于1μm。优选在控制了表面粗糙度的气体接触表面形成氧化铬、氧化铝、氧化钇、氧化镁等的氧化性钝化膜。
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公开(公告)号：CN1845857A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200480025642.1
申请日：2004-09-07
CPC classification number: B32B3/12
Abstract: 一种隔板及使用该隔板的板状物的输送方法，该隔板配置于一片板状物表面或多个板状物之间，以比隔板的面积小的接触面积与板状结构物接触。隔板相对板状物的接触面积比率优选小于或等于50％，更加理想的是小于或等于20％，最好小于或等于10％。另外，通过适当选择凹凸的图案形状及形成方向，防止有机物向隔板接触的玻璃基板等板状体的表面的转印、或产生尘埃附着，同时，也防止剥离时的静电产生。
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公开(公告)号：CN1679380A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03819972.6
申请日：2003-08-25
CPC classification number: H05K1/024 , H05K3/4676 , H05K3/4688
Abstract: 一种电路衬底、使用电路衬底的电子设备及电路衬底的制造方法，在具有绝缘体层和埋入该绝缘体层内部的导体(104)的电路衬底(100)中，在所述绝缘体层在介电常数为εr，相对磁导率为μr时，具有满足μr≥εr的关系的第一绝缘体(101)，并利用该第一绝缘体将所述导体实质地包围。
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公开(公告)号：CN101942648A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010226730.5
申请日：2004-08-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘 , 日本瑞翁株式会社
IPC: C23C16/32
CPC classification number: H01L21/3127 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3146
Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。
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公开(公告)号：CN1886770A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200480034967.6
申请日：2004-11-26
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/3205 , H05B33/14
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F2001/133357 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/78636
Abstract: 一种有源矩阵显示装置，包围源极配线、漏极配线及信号线而形成平坦化层，使源极配线、漏极配线及信号线实质上与平坦化层形成同一平面。
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