公开(公告)号：CN101971303B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200880103167.3

申请日：2008-09-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。

公开(公告)号：CN102089872B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980105722.0

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。

公开(公告)号：CN102089871A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980105714.6

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

Abstract: Sr-Ti-O系膜的成膜方法包括：在处理容器内配置形成有Ru膜的基板，向上述处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在Ru膜上形成厚度为10nm以下的第一Sr-Ti-O系膜的工序；对第一Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序；向处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在第一Sr-Ti-O系膜上形成第二Sr-Ti-O系膜的工序；和对第二Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序。

公开(公告)号：CN102820222A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210296623.9

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。

公开(公告)号：CN102089872A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980105722.0

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。

公开(公告)号：CN101971303A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880103167.3

申请日：2008-09-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。

公开(公告)号：CN110284120A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201910207469.5

申请日：2019-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 孙成德 ,  菱屋晋吾 ,  柿本明修

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种清洗方法和成膜装置。一种在进行成膜处理之后实施的针对成膜装置的清洗方法，在该成膜处理中，向成膜装置的处理容器内供给原料气体以及能够与原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来在基板上形成反应生成物的膜，所述清洗方法包括：在成膜处理中进行控制，使得处理容器内沉积的第一膜与原料气体供给部内沉积的第二膜为不同种类的膜，在成膜处理之后实施如下的清洗处理：从原料气体供给部向处理容器内供给第二膜与第一膜的蚀刻选择比大于1的清洗气体，并对原料气体供给部内沉积的第二膜进行蚀刻来将其去除，在清洗处理之后实施如下的表面控制处理：使所述处理容器内沉积的第一膜的表面状态接近清洗处理之前的状态。

公开(公告)号：CN102543795B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110338976.6

申请日：2011-10-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  小森克彦 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其包括用于供给氨基硅烷类气体的供给机构及用于供给不包含氨基的硅烷类气体的供给机构，并且在一个处理室内依次执行下述处理，即，供给氨基硅烷类气体而在具有到达导电体的开孔的绝缘膜的表面及上述开孔的底部的表面上形成晶种层的处理，以及供给不包含氨基的硅烷类气体而在晶种层上形成硅膜的处理。

公开(公告)号：CN102237267A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110109132.4

申请日：2011-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  柿本明修

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02636 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种薄膜的形成方法及成膜装置。在能够真空排气的处理容器内在被处理体的表面形成含有杂质的硅膜的薄膜的形成方法中，通过反复交替进行以由硅和氢构成的硅烷系气体吸附于被处理体的表面的状态向处理容器内供给该硅烷系气体的第1气体供给工序、向处理容器内供给含有杂质的气体的第2气体供给工序，来以非晶体状态形成含有杂质的硅膜。由此，即使在较低温的条件下也能够形成埋入特性良好的非晶体状态的含有杂质的硅膜。

公开(公告)号：CN101231952B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810008828.6

申请日：2008-01-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  柿本明修 ,  门仓秀公 ,  东慎太郎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45553

Abstract: 本发明提供一种在处理容器内配置基板，对基板加热，将气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂导入处理容器内，从而在基板上形成SrTiO3膜的SrTiO3膜的成膜方法。使用Sr(C5(CH3)5)2作为Sr原料。该方法依次进行如下工序：将气态的Ti原料导入处理容器内，使其吸附在基板上的工序；将气态的氧化剂导入处理容器内，分解被吸附的Ti原料，形成含Ti氧化膜的工序；将气态的Sr原料导入处理容器内，使其吸附在上述含Ti氧化膜上的工序；和将气态的氧化剂导入处理容器内，分解被吸附的Sr原料，形成含Sr氧化膜的工序，将这些工序作为1个循环，重复进行多个循环。