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公开(公告)号：CN101423935B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200810179998.0
申请日：2008-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的控制方法。根据设定温度分布对基板实施成膜处理，上述设定温度分布包括：在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序。基于温度-膜厚-第一关系、实际的处理例中的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。计算根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布进行处理的基板的多个部位的预计膜厚。在相对于规定的目标膜厚预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，变更第一时间、第二时间和第三时间中的至少任一个。
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公开(公告)号：CN101165617B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200710194482.9
申请日：2007-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/52 , G05B13/021 , H01L21/67005 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统的处理方案最佳化方法，该基板处理系统通过网络连接有根据处理方案执行被处理基板的成膜处理的基板处理装置、进行处理方案最佳化计算的数据处理装置和主计算机。本发明包括：测量由基板处理装置进行成膜处理的被处理基板的膜厚的工序；当测量的膜厚与目标膜厚有偏差且此偏差超过允许范围时，从主计算机向基板处理装置发送处理方案最佳化处理执行指令的工序；根据来自主计算机的处理方案最佳化处理执行指令，从基板处理装置向数据处理装置发送必要的数据，在该数据处理装置中，为了以获得目标膜厚的方式计算出最佳处理方案而执行处理方案最佳化计算，并根据该结果更新基板处理装置中的处理方案的工序。
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公开(公告)号：CN101540275A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910128449.5
申请日：2009-03-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01L21/20 , G05D23/00
Abstract: 本发明提供了一种能够简易地进行温度调整的热处理装置、热处理装置的温度调整方法和程序。热处理装置1的控制部50，在半导体晶片W上将SiO2膜成膜，判别SiO2膜是否满足面内均匀性。当控制部50判别为不满足面内均匀性时，计算满足面内均匀性时的预热部23的温度。控制部50在变更为计算的预热部23的温度的处理条件下在半导体晶片W将SiO2膜成膜，进行预热部23的温度调整。此外，当控制部50判别为满足面内均匀性时，对于面间均匀性也以相同的顺序进行加热器11～15的温度调整。
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公开(公告)号：CN114944325A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210121357.X
申请日：2022-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种使成膜结果的再现性提高的成膜系统以及成膜方法。该成膜系统包括用于在基板上成膜的成膜装置以及控制装置,上述控制装置具有:方案存储部,其用于存储规定了通过上述成膜装置进行的基板处理工序的步骤的方案；预测部,其使用自基于上述方案的上述基板处理工序的开始收集的上述成膜装置的日志信息,计算控制对象的自目标值的变动量的预测值，该控制对象表示在上述基板处理工序中包含的成膜工序中成膜的膜的膜厚或膜质；以及更新部,其在上述成膜工序之前,以接近上述控制对象的目标值的方式,根据上述预测值对上述方案进行更新。
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公开(公告)号：CN101399176B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810167416.7
申请日：2008-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67276
Abstract: 本发明提供能够有效地控制被处理的基板的成膜量的基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。基板处理系统包括：在多个基板上进行成膜的基板处理部；取得表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置的配置模式的信息的取得部；和存储表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置对基板的成膜量施加的影响的配置-成膜量模型的存储部。根据上述配置-成膜量模型，通过计算部计算上述配置模式下的基板的预测成膜量。通过判断部判断上述计算出的预测成膜量是否在规定范围内，当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内时，通过控制部控制上述基板处理部对基板进行处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101399176A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810167416.7
申请日：2008-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67276
Abstract: 本发明提供能够有效地控制被处理的基板的成膜量的基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。基板处理系统包括：在多个基板上进行成膜的基板处理部；取得表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置的配置模式的信息的取得部；和存储表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置对基板的成膜量施加的影响的配置－成膜量模型的存储部。根据上述配置－成膜量模型，通过计算部计算上述配置模式下的基板的预测成膜量。通过判断部判断上述计算出的预测成膜量是否在规定范围内，当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内时，通过控制部控制上述基板处理部对基板进行处理。
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公开(公告)号：CN1331192C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN02821464.1
申请日：2002-08-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , G05B13/02
CPC classification number: H01L21/67276 , C23C16/52 , G05B19/4099 , G05B2219/32182 , G05B2219/45031 , H01L21/67253 , H01L22/20 , Y02P90/22
Abstract: 通过LAN 9将CVD设备31、扩散设备33等多台处理设备3；测定设备5；以及管理周的控制计算机7进行连接。各处理设备3存储用于进行处理的控制信息。控制计算机7也存储各处理设备3的控制信息。控制计算机7使各处理设备3实施校正用的处理过程。控制计算机7从测定设备5接受校正对象的处理设备3的处理结果，并根据处理结果校正自己存储的控制信息。在校正处理完成后控制计算机7将校正了的控制信息发送至处理设备3。处理设备3保存校正了的控制信息，在下次处理中使用。
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公开(公告)号：CN107236936B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201710191094.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。控制装置控制基板形成第一膜后形成第二膜而形成层叠膜的基板处理装置的动作，具有：制程存储部，存储包括形成第一膜的第一成膜条件和形成第二膜的第二成膜条件的成膜条件；模型存储部，存储包括表示第一成膜条件对第一膜特性影响的第一工艺模型和表示第二成膜条件对第二膜特性影响的第二工艺模型的工艺模型；以及控制部，基于包括利用制程存储部存储的第一成膜条件和第二成膜条件形成第一膜和第二膜的层叠膜的特性的测定值和模型存储部存储的第二工艺模型调整第二成膜条件，基于利用第一成膜条件和调整后的第二成膜条件形成层叠膜的情况下预测层叠膜特性的预测值判定是否要调整第一成膜条件。
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公开(公告)号：CN101260517B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200810092098.2
申请日：2008-03-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/31658 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种能够容易地调整气体流量的处理系统、处理方法和程序。在立式热处理装置(1)中设有多个向收容半导体晶片(W)的反应管(2)内供给处理气体的气体供给管(16～20)。流量调整部(21～25)控制气体供给管(16～20)的流量。控制部(50)中存储有表示包括处理气体流量的工艺条件以及处理气体的流量与膜厚关系的膜厚流量关系模型。控制部(50)基于在工艺条件下处理半导体晶片(W)的处理结果和膜厚流量关系模型，计算处理气体的流量、控制流量调整部(21～25)，将处理气体的流量变更为计算出的处理气体的流量，并对半导体晶片(W)进行处理。
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公开(公告)号：CN101423935A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810179998.0
申请日：2008-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的控制方法。根据设定温度分布对基板实施成膜处理，上述设定温度分布包括：在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序。基于温度－膜厚－第一关系、实际的处理例中的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。计算根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布进行处理的基板的多个部位的预计膜厚。在相对于规定的目标膜厚预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，变更第一时间、第二时间和第三时间中的至少任一个。
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