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公开(公告)号：CN119446960A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410971302.7
申请日：2024-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置，能够提高基片面内的处理结果的分布的调节的自由度。基片处理方法在具有处理容器和加热部的基片处理装置中执行，能够将基片送入和送出所述处理容器，所述加热部能够对所述处理容器内进行加热，所述基片处理方法包括：a步骤，基于第一预测模型，设定具有能够得到所要求的基片处理的结果的基片面内的温度分布的特定区间，其中，所述第一预测模型用于预测由所述加热部进行升温或降温后发生变化的基片面内的温度分布的时间变化；和b步骤，在所述特定区间进行所述基片处理。
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公开(公告)号：CN112016054B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010424567.7
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供许可证认证装置和许可证认证方法。本发明的一方式的许可证认证装置进行应用程序的许可证期限的认证，其中，上述应用程序是用于调整半导体工厂内的半导体制造装置的参数的应用程序，上述许可证认证装置包括：许可证信息保存部，其保存包含上述许可证期限的许可证文件；日志数据获取部，其获取上述半导体制造装置执行了处理时的日志数据；和许可证期限判断部，其判断上述日志数据获取部所获取的上述日志数据中包含的时刻是否超过了保存于上述许可证信息保存部中的上述许可证期限。本发明能够更稳固地进行使用期限的认证。
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公开(公告)号：CN114944325A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210121357.X
申请日：2022-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种使成膜结果的再现性提高的成膜系统以及成膜方法。该成膜系统包括用于在基板上成膜的成膜装置以及控制装置,上述控制装置具有:方案存储部,其用于存储规定了通过上述成膜装置进行的基板处理工序的步骤的方案；预测部,其使用自基于上述方案的上述基板处理工序的开始收集的上述成膜装置的日志信息,计算控制对象的自目标值的变动量的预测值，该控制对象表示在上述基板处理工序中包含的成膜工序中成膜的膜的膜厚或膜质；以及更新部,其在上述成膜工序之前,以接近上述控制对象的目标值的方式,根据上述预测值对上述方案进行更新。
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公开(公告)号：CN112016054A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010424567.7
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供许可证认证装置和许可证认证方法。本发明的一方式的许可证认证装置进行应用程序的许可证期限的认证，其中，上述应用程序是用于调整半导体工厂内的半导体制造装置的参数的应用程序，上述许可证认证装置包括：许可证信息保存部，其保存包含上述许可证期限的许可证文件；日志数据获取部，其获取上述半导体制造装置执行了处理时的日志数据；和许可证期限判断部，其判断上述日志数据获取部所获取的上述日志数据中包含的时刻是否超过了保存于上述许可证信息保存部中的上述许可证期限。本发明能够更稳固地进行使用期限的认证。
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公开(公告)号：CN115440637A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210579267.5
申请日：2022-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 提供一种信息处理装置、移载位置校正方法及基板处理装置。该信息处理装置包括：搬送装置控制单元，根据教导数据对搬送装置的第一移动动作和第二移动动作进行控制，第一移动动作用于将被处理基板载置于能够对被处理基板进行载置的容器中，第二移动动作用于从容器中取得被处理基板；图像数据取得单元，从以能够对容器的被处理基板的载置位置进行拍摄的方式设置的拍摄装置，取得对第一移动动作和第二移动动作进行拍摄而得到的图像数据；图像处理单元，基于图像数据对容器和被处理基板的位置关系进行数值化；以及位置校正单元，对数值化的容器和被处理基板的位置关系进行判定，并基于判定结果输出搬送装置的第一移动动作和第二移动动作的校正数据。
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