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公开(公告)号：CN107230654B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201710183981.1
申请日：2017-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 提供一种控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。本实施方式的控制装置对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。
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公开(公告)号：CN112016054B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010424567.7
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供许可证认证装置和许可证认证方法。本发明的一方式的许可证认证装置进行应用程序的许可证期限的认证，其中，上述应用程序是用于调整半导体工厂内的半导体制造装置的参数的应用程序，上述许可证认证装置包括：许可证信息保存部，其保存包含上述许可证期限的许可证文件；日志数据获取部，其获取上述半导体制造装置执行了处理时的日志数据；和许可证期限判断部，其判断上述日志数据获取部所获取的上述日志数据中包含的时刻是否超过了保存于上述许可证信息保存部中的上述许可证期限。本发明能够更稳固地进行使用期限的认证。
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公开(公告)号：CN101423935B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200810179998.0
申请日：2008-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的控制方法。根据设定温度分布对基板实施成膜处理，上述设定温度分布包括：在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序。基于温度-膜厚-第一关系、实际的处理例中的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。计算根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布进行处理的基板的多个部位的预计膜厚。在相对于规定的目标膜厚预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，变更第一时间、第二时间和第三时间中的至少任一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107236936B
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201710191094.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。控制装置控制基板形成第一膜后形成第二膜而形成层叠膜的基板处理装置的动作，具有：制程存储部，存储包括形成第一膜的第一成膜条件和形成第二膜的第二成膜条件的成膜条件；模型存储部，存储包括表示第一成膜条件对第一膜特性影响的第一工艺模型和表示第二成膜条件对第二膜特性影响的第二工艺模型的工艺模型；以及控制部，基于包括利用制程存储部存储的第一成膜条件和第二成膜条件形成第一膜和第二膜的层叠膜的特性的测定值和模型存储部存储的第二工艺模型调整第二成膜条件，基于利用第一成膜条件和调整后的第二成膜条件形成层叠膜的情况下预测层叠膜特性的预测值判定是否要调整第一成膜条件。
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公开(公告)号：CN101423935A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810179998.0
申请日：2008-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的控制方法。根据设定温度分布对基板实施成膜处理，上述设定温度分布包括：在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序。基于温度－膜厚－第一关系、实际的处理例中的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。计算根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布进行处理的基板的多个部位的预计膜厚。在相对于规定的目标膜厚预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，变更第一时间、第二时间和第三时间中的至少任一个。
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公开(公告)号：CN112016054A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010424567.7
申请日：2020-05-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供许可证认证装置和许可证认证方法。本发明的一方式的许可证认证装置进行应用程序的许可证期限的认证，其中，上述应用程序是用于调整半导体工厂内的半导体制造装置的参数的应用程序，上述许可证认证装置包括：许可证信息保存部，其保存包含上述许可证期限的许可证文件；日志数据获取部，其获取上述半导体制造装置执行了处理时的日志数据；和许可证期限判断部，其判断上述日志数据获取部所获取的上述日志数据中包含的时刻是否超过了保存于上述许可证信息保存部中的上述许可证期限。本发明能够更稳固地进行使用期限的认证。
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公开(公告)号：CN107236936A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710191094.9
申请日：2017-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。控制装置控制基板形成第一膜后形成第二膜而形成层叠膜的基板处理装置的动作，具有：制程存储部，存储包括形成第一膜的第一成膜条件和形成第二膜的第二成膜条件的成膜条件；模型存储部，存储包括表示第一成膜条件对第一膜特性影响的第一工艺模型和表示第二成膜条件对第二膜特性影响的第二工艺模型的工艺模型；以及控制部，基于包括利用制程存储部存储的第一成膜条件和第二成膜条件形成第一膜和第二膜的层叠膜的特性的测定值和模型存储部存储的第二工艺模型调整第二成膜条件，基于利用第一成膜条件和调整后的第二成膜条件形成层叠膜的情况下预测层叠膜特性的预测值判定是否要调整第一成膜条件。
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公开(公告)号：CN107230654A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710183981.1
申请日：2017-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45553 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L22/12 , H01L21/67253 , H01L22/20
Abstract: 提供一种控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。本实施方式的控制装置对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件。
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