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公开(公告)号：CN111725050A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010177565.2
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，是能够增加基板处理区域中的氢自由基的量的技术。基于本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，其收容基板；等离子体生成机构，其具有与所述处理容器内连通的等离子体生成空间；第一气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间，并且供给氢气；以及第二气体供给部，其设置于所述处理容器内，并且供给氢气。
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公开(公告)号：CN105177525A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510303128.X
申请日：2015-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/401 , C23C16/4412 , C23C16/45534
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：原料气体供给部，向基板供给含有原料的原料气体；气氛气体供给部，供给用于形成具有引起链式分解反应的浓度以上的浓度的臭氧的臭氧气氛的气氛气体；能量供给部，通过向臭氧气氛供给能量来使臭氧强制地分解而产生氧的活性种，利用活性种来使原料氧化而获得氧化物；控制部，输出控制信号，以便多次重复进行包括原料气体的供给、气氛气体的供给及能量供给的循环；缓冲区域，其与真空容器相连接地设置，向其供给非活性气体，以便缓和臭氧的分解所导致的真空容器内的压力上升；划分机构，在向真空容器供给气氛气体时将真空容器与缓冲区域划分开并在产生臭氧的分解时使缓冲区域与真空容器相连通。
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公开(公告)号：CN101423935A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810179998.0
申请日：2008-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/302
CPC classification number: C23C16/481 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的控制方法。根据设定温度分布对基板实施成膜处理，上述设定温度分布包括：在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序。基于温度－膜厚－第一关系、实际的处理例中的多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。计算根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温度对应的设定温度分布进行处理的基板的多个部位的预计膜厚。在相对于规定的目标膜厚预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，变更第一时间、第二时间和第三时间中的至少任一个。
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公开(公告)号：CN111725050B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202010177565.2
申请日：2020-03-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种处理装置和处理方法，是能够增加基板处理区域中的氢自由基的量的技术。基于本公开的一个方式的处理装置具备：处理容器，其收容基板；等离子体生成机构，其具有与所述处理容器内连通的等离子体生成空间；第一气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间，并且供给氢气；以及第二气体供给部，其设置于所述处理容器内，并且供给氢气。
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公开(公告)号：CN107680896B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201710646237.0
申请日：2017-08-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 基板处理装置以及基板处理方法，在将以棚架状地保持有多个基板的基板保持件搬入立式的处理容器内来进行等离子体处理时，在各基板的面内进行均匀性高的处理。基板处理装置具有：凸部(41)，其以处理容器(11)的侧周壁向外侧鼓出的方式形成与用于容纳基板保持件(3)并进行处理的处理空间(13)连通的纵长空间；气体喷出部(62)，其设置于纵长空间，用于向处理空间喷出处理气体；以及天线(42)，其沿纵向设置在所述凸部，被供给高频电力使得在纵长空间内将处理气体等离子体化。而且，在该装置具有屏蔽件(7)，该屏蔽件在凸部从比天线靠近处理空间的位置向左右分别延伸，用于屏蔽由天线形成的电场来抑制在处理空间中形成等离子体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105200393B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510333848.0
申请日：2015-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置用于在形成于真空容器内的真空气氛中在载置在台上的基板的表面上层叠氧化物的分子层而形成薄膜，其中，该成膜装置包括：旋转机构；原料气体供给部；处理空间形成构件，其形成处理空间；气氛气体供给部；能量供给部，其用于通过向所述臭氧气氛供给能量来使所述臭氧强制地分解而产生氧的活性种，利用该活性种来使吸附在所述基板的表面上的原料氧化而获得所述氧化物；缓冲区域，其缓和所述臭氧的分解所导致的所述处理空间内的压力上升；以及划分机构，其用于在向所述处理空间供给所述气氛气体时将所述缓冲区域与该处理空间划分开，并在产生所述臭氧的分解时使所述缓冲区域与所述处理空间相连通。
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公开(公告)号：CN107680896A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710646237.0
申请日：2017-08-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 基板处理装置以及基板处理方法，在将以棚架状地保持有多个基板的基板保持件搬入立式的处理容器内来进行等离子体处理时，在各基板的面内进行均匀性高的处理。基板处理装置具有：凸部(41)，其以处理容器(11)的侧周壁向外侧鼓出的方式形成与用于容纳基板保持件(3)并进行处理的处理空间(13)连通的纵长空间；气体喷出部(62)，其设置于纵长空间，用于向处理空间喷出处理气体；以及天线(42)，其沿纵向设置在所述凸部，被供给高频电力使得在纵长空间内将处理气体等离子体化。而且，在该装置具有屏蔽件(7)，该屏蔽件在凸部从比天线靠近处理空间的位置向左右分别延伸，用于屏蔽由天线形成的电场来抑制在处理空间中形成等离子体。
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公开(公告)号：CN113921361A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202110749578.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。
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公开(公告)号：CN105177525B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201510303128.X
申请日：2015-06-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。成膜装置包括：原料气体供给部，向基板供给含有原料的原料气体；气氛气体供给部，供给用于形成具有引起链式分解反应的浓度以上的浓度的臭氧的臭氧气氛的气氛气体；能量供给部，通过向臭氧气氛供给能量来使臭氧强制地分解而产生氧的活性种，利用活性种来使原料氧化而获得氧化物；控制部，输出控制信号，以便多次重复进行包括原料气体的供给、气氛气体的供给及能量供给的循环；缓冲区域，其与真空容器相连接地设置，向其供给非活性气体，以便缓和臭氧的分解所导致的真空容器内的压力上升；划分机构，在向真空容器供给气氛气体时将真空容器与缓冲区域划分开并在产生臭氧的分解时使缓冲区域与真空容器相连通。
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公开(公告)号：CN105200393A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510333848.0
申请日：2015-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40
CPC classification number: H01L21/02164 , C23C16/402 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45582 , C23C16/4584 , H01L21/02219 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置用于在形成于真空容器内的真空气氛中在载置在台上的基板的表面上层叠氧化物的分子层而形成薄膜，其中，该成膜装置包括：旋转机构；原料气体供给部；处理空间形成构件，其形成处理空间；气氛气体供给部；能量供给部，其用于通过向所述臭氧气氛供给能量来使所述臭氧强制地分解而产生氧的活性种，利用该活性种来使吸附在所述基板的表面上的原料氧化而获得所述氧化物；缓冲区域，其缓和所述臭氧的分解所导致的所述处理空间内的压力上升；以及划分机构，其用于在向所述处理空间供给所述气氛气体时将所述缓冲区域与该处理空间划分开，并在产生所述臭氧的分解时使所述缓冲区域与所述处理空间相连通。
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