-
公开(公告)号：CN111962045B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202010401197.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明涉及成膜方法。提供能够抑制基板的氧化并成膜膜质良好的硅氧化膜的技术。其具有第1工序和在第1工序后进行的第2工序，第1工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅氧化膜；及利用等离子体使第1改性气体活性化并向硅氧化膜供给，而进行硅氧化膜的改性处理，第2工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅氧化膜；及利用等离子体使第2改性气体活性化并向硅氧化膜供给，而进行硅氧化膜的改性处理，第1改性气体的使基板氧化的作用小于第2改性气体的使基板氧化的作用。
-
公开(公告)号：CN117133619A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310552051.4
申请日：2023-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供对使用RF电功率的脉冲波的等离子体处理稳定地进行控制的监视方法和等离子体处理装置。监视方法为等离子体处理装置进行的监视方法，等离子体处理装置包括：配置在处理容器内的载置基片的载置台；设置在处理容器的上部的天线；与天线连接的用于供给RF电功率的RF电源；配置在天线与RF电源之间的匹配器；和用于测量匹配器的输出端电压的测量部，监视方法包括：步骤(a)，在载置台上准备基片；步骤(b)，从RF电源供给规定的占空比的RF电功率的脉冲波；和步骤(c)，根据基于占空比对输出端电压的Vpp电压进行换算而得到的Vpp电压的换算值、RF电功率、和Vpp电压与RF电功率的相关性信息，监视等离子体的状态。
-
公开(公告)号：CN101591146A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910145230.6
申请日：2009-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C03C23/0075
Abstract: 本发明提供一种除去附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上的金属污染物质的方法。该方法包括：得到未安装于上述立式热处理装置的状态的上述石英部件的工序；接着利用稀氢氟酸对上述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净工序；接着利用纯水对上述石英部件进行洗净的第一纯水洗净工序；接着利用盐酸对上述石英部件进行洗净的盐酸洗净工序；和接着利用纯水对上述石英部件进行洗净的第二纯水洗净工序。
-
公开(公告)号：CN100533683C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710161652.3
申请日：2004-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH3气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。
-
公开(公告)号：CN101131929A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710161652.3
申请日：2004-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH3气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH3气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111962045A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010401197.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明涉及成膜方法。提供能够抑制基板的氧化并成膜膜质良好的硅氧化膜的技术。其具有第1工序和在第1工序后进行的第2工序，第1工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅氧化膜；及利用等离子体使第1改性气体活性化并向硅氧化膜供给，而进行硅氧化膜的改性处理，第2工具重复以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于基板上；向基板供给氧化气体，使吸附于基板上的氨基硅烷气体氧化而在基板上堆积硅氧化膜；及利用等离子体使第2改性气体活性化并向硅氧化膜供给，而进行硅氧化膜的改性处理，第1改性气体的使基板氧化的作用小于第2改性气体的使基板氧化的作用。
-
公开(公告)号：CN111962041A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010401194.1
申请日：2020-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/46 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种成膜方法。提供一种能够在凹部埋入不易由于之后的蚀刻工序而产生缝隙的硅氧化膜。本公开的一技术方案的成膜方法具有以下步骤：使氨基硅烷气体吸附于表面形成有凹部的基板之上；向所述基板供给氧化气体，使吸附于所述基板之上的所述氨基硅烷气体氧化而在所述基板之上堆积硅氧化膜；以及利用等离子体使包含氦和氧的混合气体活性化并向所述硅氧化膜供给，从而进行所述硅氧化膜的改性处理。
-
公开(公告)号：CN105296962B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510289067.6
申请日：2015-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C30B25/14 , C30B29/18
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。成膜装置包括：真空容器；以及旋转台，其设于该真空容器内。另外，成膜装置包括：凹部，其以能收纳所述基板的方式形成于所述旋转台的一面侧；以及载置部，其用于在该凹部内对基板的比周缘部靠中央的部位进行支承。成膜装置还包括：连通路径，其以在凹部的自凹部的中央看来位于与所述旋转台的中心相反的一侧的端部区域将所述旋转台的外侧的空间和所述凹部内的位于载置部的周围的空间相连通的方式形成于该凹部的壁部，以便将在因所述旋转台的旋转而产生的离心力的作用下在所述凹部内偏向于所述旋转台的外周侧的气体排出；以及排气口，其用于对其所述真空容器内进行真空排气。
-
公开(公告)号：CN108206133A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711377005.6
申请日：2017-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B5/02 , B05B1/18 , B05D1/00 , C23C16/4405 , C23C16/45542 , C23C16/45551 , C23C16/45565 , H01J37/32357 , H01L21/0206 , H01L21/02164 , H01L21/02263 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31116 , H01L21/465 , H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减少残留在所涉及的蚀刻后的膜的表面上的微粒的微粒去除方法和基板处理方法。一种微粒去除方法，去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向所述进行蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体。
-
公开(公告)号：CN108206133B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201711377005.6
申请日：2017-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够减少残留在所涉及的蚀刻后的膜的表面上的微粒的微粒去除方法和基板处理方法。一种微粒去除方法，去除使用含氟气体进行蚀刻后的膜上的微粒，所述微粒去除方法包括以下工序：向所述进行蚀刻后的膜上供给在被活化后的含氧气体中添加了氢的混合气体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.02 seconds)
