公开(公告)号：CN102054663B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201010534982.4

申请日：2010-11-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 织户康一 ,  本间学 ,  田村辰也

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/45587 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  Y10T137/8376

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，通过分别调整多个排气通路的排气流量，控制真空容器内的处理气体的气流，使朝向基板的气流保持恒定。能够分别从设有第1阀(65a)的第1排气通路(63a)和设有第2阀(65b)的第2排气通路(63b)对真空容器(1)内的气氛进行真空排气，调整第1阀(65a)的开度，使得真空容器(1)内的压力成为处理压力(P)，并且为了将第1排气通路(63a)的排气流量和第2排气通路(63b)的排气流量成为与制程程序相对应的设定值，将蝶阀(67)的开度(V)设定为记载于表(86)中的值，接着，调整第2阀(65b)的开度使得压差计(68)的测量值成为记载于表(86)中的压差(ΔP)。

公开(公告)号：CN102002685A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010272014.0

申请日：2010-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  织户康一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种使用第1和第2反应气体在被处理体上形成薄膜的成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括真空容器、排气系统、用于载置被处理体的旋转台、用于使旋转台旋转的旋转机构以及将被处理体设定为使第1反应气体凝结的温度的温度调整机构。在真空容器内，沿着旋转台的旋转方向依次配置有：使第1反应气体的凝结物吸附在被处理体上的第1反应气体供给部；使凝结物的一部分气化的气化部；以及使第2反应气体和凝结物反应的第2反应气体供给部。

公开(公告)号：CN102094187A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010591764.4

申请日：2010-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学 ,  织户康一 ,  竹内靖 ,  菊地宏之

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：旋转台，其能够旋转地设置于容器内，在第1面包含用于载置基板的基板载置区域；第1反应气体供给部，其用于向旋转台的第1面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，其沿着旋转台的旋转方向相对于第1反应气体供给部分离开，用于向旋转台的第1面供给第2反应气体；分离气体供给部，其设置在第1及第2反应气体供给部之间，用于供给将第1及第2反应气体分离的分离气体；排气口，其用于对容器内进行排气；空间划分构件，其设置于第1及第2反应气体供给部中的至少一个，划分出包含该反应气体供给部与旋转台的第1面之间的空间的第1空间、及与第1空间的气体相比分离气体易于流动的第2空间。

公开(公告)号：CN100350574C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200480000830.9

申请日：2004-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  织户康一 ,  菊地宏之 ,  真久眞吾

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/345 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3185

Abstract: 该CVD方法是在被处理基板(W)上形成硅氮化膜。该方法包括：将基板(W)装入处理容器(8)内，加热至处理温度的工序；对被加热至处理温度的基板(W)供给含有六乙氨基二硅烷气体和含有氨气体的处理气体，在基板(W)上堆积硅氮化膜的工序。

公开(公告)号：CN1701424A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480000830.9

申请日：2004-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  织户康一 ,  菊地宏之 ,  真久眞吾

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45542 ,  C23C16/345 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3185

Abstract: 该CVD方法是在被处理基板(W)上形成硅氮化膜。该方法包括：将基板(W)装入处理容器(8)内，加热至处理温度的工序；对被加热至处理温度的基板(W)供给含有六乙氨基二硅烷气体和含有氨气体的处理气体，在基板(W)上堆积硅氮化膜的工序。

公开(公告)号：CN102002685B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010272014.0

申请日：2010-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  织户康一

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明提供一种使用第1和第2反应气体在被处理体上形成薄膜的成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括真空容器、排气系统、用于载置被处理体的旋转台、用于使旋转台旋转的旋转机构以及将被处理体设定为使第1反应气体凝结的温度的温度调整机构。在真空容器内，沿着旋转台的旋转方向依次配置有：使第1反应气体的凝结物吸附在被处理体上的第1反应气体供给部；使凝结物的一部分气化的气化部；以及使第2反应气体和凝结物反应的第2反应气体供给部。

公开(公告)号：CN102108496A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010621816.8

申请日：2010-12-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  织户康一 ,  菊地宏之 ,  尾谷宗之 ,  熊谷武司 ,  成岛健索 ,  西森崇

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C30B25/14 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供成膜装置及成膜方法。该成膜装置在进行氮化钛膜的成膜处理时，通过使旋转台与各气体喷嘴以100rpm以上的转速相对旋转，使反应气体的供给循环或反应生成物的成膜循环高速化来形成薄膜。在产生因生成于基板表面的反应生成物的结晶化而引起的粒径粗大化之前，在上层侧层叠下一反应生成物的层而形成平滑的表面。

公开(公告)号：CN101051606B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710095828.X

申请日：2007-04-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥俊树 ,  福岛讲平 ,  织户康一 ,  佐藤润

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45574

Abstract: 一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，包括处理容器，该处理容器具有收纳隔开间隔而层积的多个被处理基板的处理区域和偏离上述处理区域的边缘空间。当处理被处理基板时，通过同时从处理气体供给系统将处理气体供给处理区域、和从阻挡气体供给系统将阻挡气体供给边缘空间，抑制处理气体流入边缘空间。

公开(公告)号：CN101051606A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710095828.X

申请日：2007-04-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥俊树 ,  福岛讲平 ,  织户康一 ,  佐藤润

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45574

Abstract: 一种半导体处理用的立式等离子体处理装置，包括处理容器，该处理容器具有收纳隔开间隔而层积的多个被处理基板的处理区域和偏离上述处理区域的边缘空间。当处理被处理基板时，通过同时从处理气体供给系统将处理气体供给处理区域、和从阻挡气体供给系统将阻挡气体供给边缘空间，抑制处理气体流入边缘空间。

公开(公告)号：CN101660140B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200910169415.0

申请日：2009-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  本间学 ,  织户康一

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/00 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种成膜装置及成膜方法、基板处理装置。该成膜装置包括：旋转台；第1反应气体供给部件；第2反应气体供给部件；分离区域，其在上述周向上位于被供给上述第1反应气体的第1处理区域和被供给上述第2反应气体的第2处理区域之间；第1排气通路；第2排气通路；第1真空排气部件；第2真空排气部件；第1压力检测部件；第2压力检测部件；处理压力检测部件；以及控制部，其根据由上述第1压力检测部件和上述第2压力检测部件检测出的各压力检测值，输出控制上述第1阀和上述第2阀的开度的控制信号，使得上述真空容器内的压力、上述第1排气通路和上述第2排气流过的各气体的流量比成为分别被设定的设定值。