公开(公告)号：CN112714945A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201980061504.5

申请日：2019-09-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  中村源志 ,  P·戈贝尔 ,  中林肇

IPC: H01L21/316 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/532 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括第1层叠工序、第2层叠工序、第3层叠工序、第1退火工序和第4层叠工序。在第1层叠工序中，在基材上层叠第1电极膜。在第2层叠工序中，在第1电极膜上层叠电容绝缘物。在第3层叠工序中，在电容绝缘物上层叠金属氧化物。在第1退火工序中，对层叠于基材上的第1电极膜、电容绝缘物和金属氧化物进行退火。在第4层叠工序中，在进行了退火的金属氧化物上层叠第2电极膜。此外，电容绝缘物是包含锆和铪中的至少任一者的氧化物，金属氧化物是含有钨、钼和钒中的至少任一金属的氧化物。