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公开(公告)号：CN100585372C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200480029726.2
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67303 , G01N1/32 , H01L21/67288 , H01L21/67326
Abstract: 本发明提供一种检测辅助装置(3)，其用于，使半导体处理装置的石英制棒状部件(21)的检测对象部分接触由蚀刻液组成的处理液，然后分析处理液，测定在检测对象部分中含有的金属杂质的检测。棒状部件(21)具有位于夹持检测对象部分的一对凹部(22)。检测辅助装置(3)具有，与一对凹部结合的一对端板(32)、连接一对端板的框架(30)和在一对端板间设置的液体接受部(31)。液体接受部(31)贮留处理液，并具有使检测对象部分与处理液接触的尺寸。
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公开(公告)号：CN101092276A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710112614.9
申请日：2007-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明的石英制品烘焙方法，在用于除去搬入热处理半导体基板的热处理装置内且至少部分与热处理装置的热处理气体接触的第一和第二石英制品所包含的金属的烘焙方法，包括下述工序：使用第一夹具要素部件与第二夹具要素部件以可装卸的方式以段状层叠构成的夹具，在第一夹具要素部件上载置第一石英制品，在第一夹具要素部件上层叠第二夹具要素部件，在第二夹具要素部件上载置第二石英制品；将以段状载置石英制品的夹具搭载在盖体上使该盖体上升，从烘焙用立式容器下端开口部将夹具搬入烘焙用立式容器内并利用盖体密闭烘焙用立式容器下端开口部；加热烘焙用立式容器内的气体；将包括氯化氢气体与提高氯化氢气体反应性用的气体的烘焙用气体供给烘焙用立式容器内。
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公开(公告)号：CN1867818A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480029726.2
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67303 , G01N1/32 , H01L21/67288 , H01L21/67326
Abstract: 本发明提供一种检测辅助装置(3)，其用于，使半导体处理装置的石英制棒状部件(21)的检测对象部分接触由蚀刻液组成的处理液，然后分析处理液，测定在检测对象部分中含有的金属杂质的检测。棒状部件(21)具有位于夹持检测对象部分的一对凹部(22)。检测辅助装置(3)具有，与一对凹部结合的一对端板(32)、连接一对端板的框架(30)和在一对端板间设置的液体接受部(31)。液体接受部(31)贮留处理液，并具有使检测对象部分与处理液接触的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101092278A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710129216.8
申请日：2007-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/4581 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种石英制品，由于半导体制造装置的热处理装置的部件石英制品在加工时被铜污染，因此，在热处理装置运转时，就需要抑制对半导体基板引起的铜污染。在石英制品还没有在半导体基板的热处理中使用的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并将含有氯化氢气体和用于提高该气体的反应性的气体例如氧气的烘焙用气体供给到该石英制品。由此，将石英制品的表面到30μm深度的铜浓度控制在20ppb以下，优选在3ppb以下。烘焙处理是在石英制品组装成热处理装置之前或组装之后进行。
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公开(公告)号：CN101092277A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710112615.3
申请日：2007-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67306 , Y10S438/905 , Y10S438/935
Abstract: 本发明提供一种石英制品的烘焙方法。作为半导体制造装置的热处理装置的部件、即石英制品在加工时被铜污染，当运转热处理装置时，抑制对半导体基板产生的铜污染。在半导体基板的热处理中尚未使用石英制品的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并且向该石英制品供给烘焙用气体，该烘焙用气体包含氯化氢气体和用于提高该气体的反应性的气体、例如氧气。由此，从石英制品的表面直至30μm深度的铜浓度成为20ppb以下，优选成为3ppb以下。烘焙处理在将石英制品装配为热处理装置前或装配后进行。
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公开(公告)号：CN115961250A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211200148.0
申请日：2022-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种处理方法，提供一种能够在基材的表面形成表面粗糙度小的铝的氧化层的技术。本公开的一个方式的处理方法具有以下工序：准备基材；在所述基材的表面形成铝的膜；通过以第一温度对所述基材进行热处理来使所述铝扩散渗透到所述基材；以及通过以比所述第一温度高的第二温度对扩散渗透有所述铝的所述基材进行热处理来形成铝的氧化层。
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公开(公告)号：CN101092277B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200710112615.3
申请日：2007-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67306 , Y10S438/905 , Y10S438/935
Abstract: 本发明提供一种石英制品的烘焙方法。作为半导体制造装置的热处理装置的部件、即石英制品在加工时被铜污染，当运转热处理装置时，抑制对半导体基板产生的铜污染。在半导体基板的热处理中尚未使用石英制品的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并且向该石英制品供给烘焙用气体，该烘焙用气体包含氯化氢气体和用于提高该气体的反应性的气体、例如氧气。由此，从石英制品的表面直至30μm深度的铜浓度成为20ppb以下，优选成为3ppb以下。烘焙处理在将石英制品装配为热处理装置前或装配后进行。
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公开(公告)号：CN101092276B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710112614.9
申请日：2007-06-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明的石英制品烘焙方法，在用于除去搬入热处理半导体基板的热处理装置内且至少部分与热处理装置的热处理气体接触的第一和第二石英制品所包含的金属的烘焙方法，包括下述工序：使用第一夹具要素部件与第二夹具要素部件以可装卸的方式以段状层叠构成的夹具，在第一夹具要素部件上载置第一石英制品，在第一夹具要素部件上层叠第二夹具要素部件，在第二夹具要素部件上载置第二石英制品；将以段状载置石英制品的夹具搭载在盖体上使该盖体上升，从烘焙用立式容器下端开口部将夹具搬入烘焙用立式容器内并利用盖体密闭烘焙用立式容器下端开口部；加热烘焙用立式容器内的气体；将包括氯化氢气体与提高氯化氢气体反应性用的气体的烘焙用气体供给烘焙用立式容器内。
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