公开(公告)号：CN1992192A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610156580.9

申请日：2006-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 谷裕一

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324 ,  H01L21/22 ,  H01L21/00 ,  F27D5/00 ,  F27B17/00

Abstract: 半导体处理用的立式晶舟，在对多个被处理基板实施热处理时搭载多个被处理基板。立式晶舟包括在圆周方向上留有间隔地被固定在固定部件上的多个支柱、及在高度方向留有间隔地被分别配设在多个支柱上的爪部。配设有分别支撑多个被处理基板用的若干环状支撑板，而各个环状支撑板又被对应于多个支柱的同等高度上的若干爪部所保持。环状支撑板具有朝向中心，向下方倾斜的上面。设定上面倾斜度使之在热处理时，上面与各被处理基板的底面实现面接触，并与热处理时所产生的被处理基板的变形相匹配。

公开(公告)号：CN101092277B

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200710112615.3

申请日：2007-06-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安倍胜彦 ,  及川雅之 ,  柴田哲弥 ,  谷裕一

IPC: C03B20/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67306 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明提供一种石英制品的烘焙方法。作为半导体制造装置的热处理装置的部件、即石英制品在加工时被铜污染，当运转热处理装置时，抑制对半导体基板产生的铜污染。在半导体基板的热处理中尚未使用石英制品的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并且向该石英制品供给烘焙用气体，该烘焙用气体包含氯化氢气体和用于提高该气体的反应性的气体、例如氧气。由此，从石英制品的表面直至30μm深度的铜浓度成为20ppb以下，优选成为3ppb以下。烘焙处理在将石英制品装配为热处理装置前或装配后进行。

公开(公告)号：CN101092278A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710129216.8

申请日：2007-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安倍胜彦 ,  及川雅之 ,  柴田哲弥 ,  谷裕一

IPC: C03B20/00

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种石英制品，由于半导体制造装置的热处理装置的部件石英制品在加工时被铜污染，因此，在热处理装置运转时，就需要抑制对半导体基板引起的铜污染。在石英制品还没有在半导体基板的热处理中使用的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并将含有氯化氢气体和用于提高该气体的反应性的气体例如氧气的烘焙用气体供给到该石英制品。由此，将石英制品的表面到30μm深度的铜浓度控制在20ppb以下，优选在3ppb以下。烘焙处理是在石英制品组装成热处理装置之前或组装之后进行。

公开(公告)号：CN101092277A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710112615.3

申请日：2007-06-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安倍胜彦 ,  及川雅之 ,  柴田哲弥 ,  谷裕一

IPC: C03B20/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67306 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明提供一种石英制品的烘焙方法。作为半导体制造装置的热处理装置的部件、即石英制品在加工时被铜污染，当运转热处理装置时，抑制对半导体基板产生的铜污染。在半导体基板的热处理中尚未使用石英制品的阶段，将石英制品置于加热气氛中，并且向该石英制品供给烘焙用气体，该烘焙用气体包含氯化氢气体和用于提高该气体的反应性的气体、例如氧气。由此，从石英制品的表面直至30μm深度的铜浓度成为20ppb以下，优选成为3ppb以下。烘焙处理在将石英制品装配为热处理装置前或装配后进行。