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公开(公告)号：CN113594018B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202110735397.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
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公开(公告)号：CN111095499B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN201980004518.3
申请日：2019-05-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种在等离子体处理装置内使用的部件的形成方法，所述部件的形成方法包括一边供给第1陶瓷的原料和与该第1陶瓷不同的第2陶瓷的原料，一边对所述第1陶瓷的原料和所述第2陶瓷的原料照射能量束的工序。
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公开(公告)号：CN114050100B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202111174570.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
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公开(公告)号：CN110137068B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201910079546.3
申请日：2019-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
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公开(公告)号：CN110416116A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910332773.2
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置，能够利用简单的装置结构来抑制蚀刻特性的劣化。蚀刻装置包括：载置台，其载置作为利用等离子体进行的蚀刻处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；产生施加到载置台的负直流电压的直流电源；和控制部，在开始对载置于载置台的被处理体进行蚀刻处理时，其从直流电源对载置台周期性地施加负直流电压，随着蚀刻处理的处理时间的经过，降低施加到载置台的负直流电压的频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109841476A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811440918.2
申请日：2018-11-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及半导体制造装置用的部件以及半导体制造装置，目的在于使对蚀刻率和倾斜中的至少一项的控制性提高。提供半导体制造装置用的部件，所述部件被通电，在所述部件的一部分设置有绝缘构件。
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公开(公告)号：CN109411322A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810939779.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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公开(公告)号：CN109216253A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810736687.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在基板的背面发生的放电的静电卡盘的制造方法和静电卡盘。在该静电卡盘的制造方法中，该静电卡盘通过向第一电极层施加电压来吸附基板，所述静电卡盘的制造方法包括以下步骤：在基台上的第一树脂层上形成所述第一电极层的步骤；以及向所述第一电极层上喷镀陶瓷或含有陶瓷的物质，其中，喷镀所述陶瓷或含有陶瓷的物质的步骤包括以下步骤：利用等离子体生成气体来运送从给料机投入到喷嘴内的喷镀材料的粉末，从喷嘴的前端部的开口喷射该粉末；利用500W～10kW的电力使所喷射的等离子体生成气体解离，来生成与所述喷嘴具有共同的轴芯的等离子体；以及利用生成的等离子体使喷镀材料的粉末以液状在所述第一电极层上成膜。
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公开(公告)号：CN109075065A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026498.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供使向腔室主体照射的离子的能量降低的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置包括腔室主体、载置台和高频电源部。腔室主体提供腔室。腔室主体与接地电位连接。载置台具有下部电极，设置在腔室内。高频电源部与下部电极电连接。高频电源部生成向下部电极供给的偏置用的输出波。高频电源部产生使基频的高频的电压波形的正电压成分减少的输出波。
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公开(公告)号：CN103943489A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410028242.1
申请日：2014-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01L21/3081 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。
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