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公开(公告)号：CN101154569B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN200710140294.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号：CN100440449C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN03815028.X
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
Abstract: 一种等离子体处理方法，具有如下工序：准备表面具有有机层的被处理体；和向所述被处理体照射H2的等离子体，使所述有机层的耐等离子体性提高。
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公开(公告)号：CN100541720C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710140293.3
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。
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公开(公告)号：CN116635981A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180085064.4
申请日：2021-12-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种基板处理方法，所述基板处理方法包括以下工序：准备形成有层叠膜的基板，所述层叠膜至少具有蚀刻对象膜、配置于所述蚀刻对象膜的下层的基底层以及配置于所述蚀刻对象膜的上层的掩模；通过等离子体借助所述掩模来对所述蚀刻对象膜进行蚀刻；以及在进行蚀刻的所述工序后，以期望的温度对基板进行热处理，其中，所述掩模和所述基底层中的至少一方含有过渡金属。
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公开(公告)号：CN101460655A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020347.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1535474A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02813794.9
申请日：2002-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/0276 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 使用CF4+O2气体作为蚀刻气体，通过形成由光刻胶构成的预定形状图案的掩模层105，利用等离子体蚀刻，对有机类防反射膜104进行蚀刻，据此，与以往相比，可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态。
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公开(公告)号：CN101460655B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200780020347.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
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公开(公告)号：CN101154569A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710140294.8
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象部、覆盖该蚀刻对象部的防止反射层、和覆盖该防止反射层、形成有开口图案的ArF光刻胶或F2光刻胶构成的光刻胶层；向所述处理容器中导入处理气体；等离子体化所述处理气体；和使该等离子体作用于所述被处理体，使所述光刻胶层的耐等离子体性提高的同时，通过所述开口图案，蚀刻所述防止反射层。
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公开(公告)号：CN101093796A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710140293.3
申请日：2003-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，其特征在于，具有如下工序：将被处理体配置在处理容器内，该被处理体具有蚀刻对象层和有机掩模层，该有机掩模层覆盖所述蚀刻对象层，形成有开口图案，该处理容器包括带有包含Si的物质的露出部的构成部件；向所述处理容器内导入从H2、N2和He构成的群中选择的至少一种处理气体；和等离子体化所述处理气体，等离子体处理所述有机掩模层。
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公开(公告)号：CN1277293C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN02813794.9
申请日：2002-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/0276 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 使用CF4+O2气体作为蚀刻气体，通过形成由光刻胶构成的预定形状图案的掩模层105，利用等离子体蚀刻，对有机类防反射膜104进行蚀刻，据此，与以往相比，可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态。
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