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公开(公告)号：CN111312588B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN201911257764.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/033
Abstract: 本发明涉及以自对准多重图案化对间隔物轮廓进行再成形的方法。本文描述了实施方式用于对间隔物轮廓再成形以改善间隔物均匀性从而改善在与自对准多重图案化处理相关的图案转移期间的蚀刻均匀性。对于公开的实施方式，在用于微电子工件的衬底的材料层上形成芯。然后在芯上方形成间隔物材料层。然后，通过使用一个或更多个定向沉积处理沉积附加间隔物材料对间隔物材料层进行再成形且使用一个或更多个蚀刻处理步骤来形成与芯相邻的对称间隔物。对于一个示例实施方式，使用一个或更多个斜向物理气相沉积处理来沉积附加间隔物材料用于间隔物轮廓再成形。这种间隔物轮廓的再成形使得能够形成对称间隔物，从而改善在随后的图案转移处理期间的蚀刻均匀性。
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公开(公告)号：CN107799458B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201710763389.9
申请日：2017-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明描述了自对准多重图案化的原位间隔件整形的方法和系统。在实施方案中，在衬底上形成间隔件图案的方法可以包括提供具有间隔件的衬底。该方法还可以包括执行钝化处理以在间隔件上形成钝化层。此外，该方法可以包括执行间隔件整形处理以对间隔件进行整形。该方法还可以包括控制钝化处理和间隔件整形处理以实现间隔件形成目的。
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公开(公告)号：CN107799458A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710763389.9
申请日：2017-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明描述了自对准多重图案化的原位间隔件整形的方法和系统。在实施方案中，在衬底上形成间隔件图案的方法可以包括提供具有间隔件的衬底。该方法还可以包括执行钝化处理以在间隔件上形成钝化层。此外，该方法可以包括执行间隔件整形处理以对间隔件进行整形。该方法还可以包括控制钝化处理和间隔件整形处理以实现间隔件形成目的。
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公开(公告)号：CN100557776C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200680033770.X
申请日：2006-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高明辉
IPC: H01L21/302 , C09K13/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述了一种用于各向异性干法刻透掺杂硅层的工艺和系统。该工艺的化学物质包括SF6和氟碳化合物气体。例如，氟碳化合物气体可包括CxFy，其中x和y是大于或等于1的整数，例如C4F8。
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公开(公告)号：CN101460655A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020347.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/00
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/32136 , H01L21/67069
Abstract: 一种气体注入系统，其包含将处理器体分配在处理室中的扩散器。该气体注入系统可以用于涉及腐蚀性处理气体的多晶硅刻蚀系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100336180C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN02812493.6
申请日：2002-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/76229 , Y10S438/978
Abstract: 在设置于蚀刻室内的一对对置电极中的一个上配置基板，对对置电极两者提供高频电功率，使用由等离子体进行蚀刻的装置，通过使用至少含有Cl2和HBr的气体的等离子体蚀刻来进行蚀刻，通过氮化硅层(103)等掩膜层在附图(a)的硅基板(101)上形成槽(104a、104b)，如附图(b)所示。然后，通过调整对基板配置侧的对置电极施加的高频电功率，来控制槽(104a、104b)的侧壁(105a、105b)的形状。这样即使在槽的宽度不同的情况下，也能够将槽的形状形成为希望的形状。
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公开(公告)号：CN1535474A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02813794.9
申请日：2002-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32139 , H01L21/0276 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 使用CF4+O2气体作为蚀刻气体，通过形成由光刻胶构成的预定形状图案的掩模层105，利用等离子体蚀刻，对有机类防反射膜104进行蚀刻，据此，与以往相比，可以对有机类防反射膜的侧壁部分蚀刻成良好状态。
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公开(公告)号：CN111727490B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN201980013826.2
申请日：2019-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
Abstract: 提供了一种工艺，其中，形成了图案化层、中间层以及要根据该图案化层的图案来蚀刻的第一层。该中间层可以是可以通过基于热的去除工艺来去除的热分解层。在蚀刻该第一层之后，使用基于热的去除工艺可以允许在不改变该第一层的情况下从衬底去除该中间层。在一个实施例中，该第一层可以是记忆层，并且该工艺可以是多重图案化工艺。
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公开(公告)号：CN113646875A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080025316.X
申请日：2020-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高明辉
IPC: H01L21/308 , H01L21/3065 , H01L21/8234
Abstract: 一种方法包括提供衬底，该衬底包括由第一材料制成并且定位于下层上的芯棒。这些芯棒中的每一个包括第一侧壁和相反的第二侧壁。该方法进一步包括形成侧壁间隔物，这些侧壁间隔物由第二材料制成并且包括邻接每个相应的第一侧壁的第一侧壁间隔物和邻接每个相应的第二侧壁的第二侧壁间隔物。这些芯棒在这些侧壁间隔物的顶表面上方延伸。该方法还包括：通过在这些第一侧壁间隔物上沉积第三材料而不沉积在这些第二侧壁间隔物上，形成第一加盖侧壁间隔物；通过在这些第二侧壁间隔物上沉积第四材料而不沉积在这些第一侧壁间隔物上，形成第二加盖侧壁间隔物；以及选择性地去除该第一材料、该第二材料、该第三材料和该第四材料中的至少一者，以显露出该下层的暴露部分。
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公开(公告)号：CN109478022A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780043912.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F1/80 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 提供了对间隔物进行图案化的方法，所述方法包括：在处理室中在基底中设置初始图案化结构，初始图案化结构包括有机芯轴和下层；将图案化结构暴露在直流叠加(DCS)等离子体处理工艺中，该工艺将第一材料的层沉积在初始图案化结构上；使用第二材料进行原子层共形沉积工艺，第一材料在原子层共形沉积工艺开始时为有机芯轴提供保护；进行后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺，该工艺产生具有目标最终侧壁角度的最终图案化结构；在暴露图案化结构、原子层共形沉积工艺和后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺中同时控制集成操作变量以满足目标最终侧壁角度和其他集成目标。
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