温度控制方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106298447A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610475906.8

    申请日:2016-06-24

    Abstract: 本发明提供一种温度控制方法。该温度控制方法用于抑制半导体晶圆间的温度偏差,包括供给工序、测量工序、计算工序以及控制工序。在供给工序中,在向加热载置台的加热器的电力供给停止的状态下或者向加热器供给的电力被固定的状态下,向温度与载置台的温度不同的被处理体与载置有该被处理体的载置台之间供给传热气体。在测量工序中,对由于经由传热气体进行的半导体晶圆与载置台的热交换而发生的载置台的温度变化进行测量。在计算工序中,基于载置台的温度变化来计算校正值。在控制工序中,使向加热器的电力供给开始,控制向加热器供给的电力使得载置台的温度成为利用校正值校正后的目标温度。

    基板处理系统
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113690161A

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202110836298.X

    申请日:2017-06-20

    Abstract: 本发明提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有:腔室;载置台,其设置在腔室内,用于载置被处理基板;以及加热器,其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置,该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有:保持部,其按每个分割区域保持表示加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表;测定部,其针对每个分割区域测定加热器的电阻值;以及控制部,其针对每个分割区域,参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度,控制向加热器供给的电力以使得所估计出的温度变为目标温度。

    温度控制方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106298447B

    公开(公告)日:2020-02-07

    申请号:CN201610475906.8

    申请日:2016-06-24

    Abstract: 本发明提供一种温度控制方法。该温度控制方法用于抑制半导体晶圆间的温度偏差,包括供给工序、测量工序、计算工序以及控制工序。在供给工序中,在向加热载置台的加热器的电力供给停止的状态下或者向加热器供给的电力被固定的状态下,向温度与载置台的温度不同的被处理体与载置有该被处理体的载置台之间供给传热气体。在测量工序中,对由于经由传热气体进行的半导体晶圆与载置台的热交换而发生的载置台的温度变化进行测量。在计算工序中,基于载置台的温度变化来计算校正值。在控制工序中,使向加热器的电力供给开始,控制向加热器供给的电力使得载置台的温度成为利用校正值校正后的目标温度。

    红外线摄像机的校正方法和红外线摄像机的校正系统

    公开(公告)号:CN111238646B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN201911155829.8

    申请日:2019-11-22

    Abstract: 本发明提供一种红外线摄像机的校正方法和红外线摄像机的校正系统,能够提高红外线摄像机的温度的检测精度,包括取得工序、校正值计算工序、插补曲线确定工序、和保存工序。在取得工序中,载置基板的载置台被设定为多个不同的温度,在各温度下由红外线摄像机取得来自载置台的上表面的多个区域各自的红外线的放射量的检测值。在校正值计算工序中,在各温度下计算设置有温度传感器的区域即基准区域的检测值与其它区域的检测值的差量来作为校正值。在插补曲线确定工序中,对各区域确定表示相对于基准区域的检测值的校正值的变化趋势的插补曲线。在保存工序中,保存规定对各个区域确定的插补曲线的参数。

    等离子体处理方法和等离子体处理装置

    公开(公告)号:CN118263085A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202311766670.X

    申请日:2023-12-21

    Abstract: 本公开涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置,能够提高等离子体工艺的效率。等离子体处理方法包括工序(a)、工序(b)以及工序(c)。在工序(a)中,在周期性地重复进行向腔室的处理气体的供给以及所述腔室内的排气的等离子体处理中,通过检测所述腔室内的发光强度的传感器来获取由所述腔室内的所述处理气体电离所得的自由基的发光强度。在工序(b)中,获取设为发光强度的目标的设定值。在工序(c)中,基于通过所述工序(a)获取到的所述发光强度和通过所述工序(b)获取到的所述设定值,来计算使所述发光强度接近所述设定值的所述等离子体处理的处理条件。

    基板处理系统
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113690161B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202110836298.X

    申请日:2017-06-20

    Abstract: 本发明提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有:腔室;载置台,其设置在腔室内,用于载置被处理基板;以及加热器,其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置,该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有:保持部,其按每个分割区域保持表示加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表;测定部,其针对每个分割区域测定加热器的电阻值;以及控制部,其针对每个分割区域,参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度,控制向加热器供给的电力以使得所估计出的温度变为目标温度。

    基板处理装置
    8.
    发明公开
    基板处理装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119213547A

    公开(公告)日:2024-12-27

    申请号:CN202380041066.2

    申请日:2023-05-18

    Abstract: 提供一种基板处理装置。基板处理装置具备腔室、基台、静电保持盘、控制电路以及探测电路。静电保持盘配置在基台上。静电保持盘包括电介质构件、至少一个加热器电极层以及至少一个电阻层。电介质构件具有基板支承面。至少一个加热器电极层由第一材料形成。至少一个电阻层由第二材料形成。至少一个电阻层是具有300μm以下的厚度的至少一个电阻层。第二材料的电阻温度系数为第一材料的电阻温度系数以上。

    基板处理系统和温度控制方法

    公开(公告)号:CN107546150B

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN201710471019.8

    申请日:2017-06-20

    Abstract: 本发明提供一种能够实现载置台的小型化和构造的简化的基板处理系统和温度控制方法。基板处理系统具备基板处理装置和控制装置。基板处理装置具有:腔室;载置台,其设置在腔室内,用于载置被处理基板;以及加热器,其被嵌入到载置台的内部的与各个分割区域对应的位置,该各个分割区域是将载置台的上表面分割为多个区域而得到的。控制装置具有:保持部,其按每个分割区域保持表示加热器的电阻值与分割区域的温度之间的关系的表;测定部,其针对每个分割区域测定加热器的电阻值;以及控制部,其针对每个分割区域,参照表来估计与由测定部测定出的加热器的电阻值对应的分割区域的温度,控制向加热器供给的电力以使得所估计出的温度变为目标温度。

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