公开(公告)号：CN118786514A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202380024123.6

申请日：2023-03-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 平野贤 ,  山本能吏 ,  久保敬 ,  大岭治树 ,  狐塚正树 ,  北尾俊博

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种提高进行基片的温度调节时的调节精度的分析装置、基片处理系统、基片处理装置、分析方法和分析程序。分析装置具有：学习部，其构成为能够使用在处于第1真空环境下的处理空间中设置于基片支承部的被分割了的各区域的温度调节元件的设定参数、和作为由所述基片支承部支承的基片的各位置的温度数据的第1温度数据组来进行学习处理，生成学习完成模型；和计算部，其构成为能够使用所述学习完成模型，计算与所述基片的目标温度相应的各温度调节元件的设定参数。

公开(公告)号：CN114944319A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210117791.0

申请日：2022-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 平野贤 ,  远藤宏纪

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种等离子体处理装置,其缩短自等离子体处理装置的等离子体处理空间中的异常的产生至停止向等离子体处理空间的电力的供给的时间。该等离子体处理装置具有:装置侧控制器部,其用于进行与在等离子体处理空间进行的处理相关的控制；高频电源生成部,其用于向等离子体处理空间供给电力；以及监视部,其对自监视对象发送至装置侧控制器部的监视对象信息进行监视,基于监视对象信息检测等离子体处理空间中的异常的产生,并且以停止对于检测到了异常的产生的等离子体处理空间的来自高频电源生成部的电力的供给的方式,对高频电源生成部进行控制,装置侧控制器部对于监视部进行监视部进行监视的监视对象、以及对监视对象信息进行监视的定时的设定。