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公开(公告)号：CN112349646B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202010760245.X
申请日：2020-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供载置台和基板处理装置。对基板的最外周的温度进行控制。提供一种载置台，该载置台具有位于基板的外侧的第1面和载置基板的第2面，其中，该载置台与所述第1面对应地形成第1流路。
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公开(公告)号：CN119725207A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411900700.6
申请日：2020-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供基板处理装置。还提供载置台和等离子体处理装置，其使配置于载置台内的收容空间的基板的动作的稳定性提高。载置台包括：基台，其在内部具有收容空间；电介质层，其设于所述基台的第1面，具有载置基板的载置面，该电介质层在内部具有多个加热器；以及加热器控制基板，其配置于所述收容空间内，用于驱动所述多个加热器，所述基台在与所述第1面相反的面即所述基台的第2面具有向所述收容空间内导入制冷剂的导入口。
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公开(公告)号：CN115527829A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210686471.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法由等离子体处理装置进行，等离子体处理装置具备：基台；基板支承部，其具有支承基板的基板支承面；加热器，其能够调整基板支承面的温度；温度传感器，其测定基板支承面的温度；电力调整部，其调整向加热器供给的电力；以及控制部，等离子体处理方法包括以下工序：将基板支承面的设定温度设定为第一温度；在等离子体生成前，测定电力调整部向加热器供给的第一电力；在等离子体生成后，测定电力调整部向加热器供给的第二电力；基于第一电力和第二电力，来计算来自等离子体的热输入量；基于计算出的热输入量、以及基板支承部与温度传感器之间的热阻，来将第一温度校正为第二温度。
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公开(公告)号：CN118661474A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020892.9
申请日：2023-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明能够在等离子体处理装置的联锁机构动作时，保护搭载在等离子体处理装置中的电子器件。一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基座，其具有传热介质流路和空间；配置在基座上的静电卡盘；配置在静电卡盘内的第1加热器元件；配置在空间内的第2加热器元件；配置在空间内的控制电路板，其包括与第1加热器元件和第2加热器元件中的至少任一者电连接的至少一个控制元件；和恢复电路，其电连接在第2加热器元件与至少一个控制元件之间，能够基于空间内的温度对第2加热器元件供给电功率。
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公开(公告)号：CN113496937A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110291189.4
申请日：2021-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供载置台和基板处理装置。抑制基板的处理中的环境控制的精度的降低。载置台包括载置部、基台、电路板、温度调整部。载置部用于载置基板。基台配置于载置部下，在内部形成有空间。电路板配置于基台的空间内，搭载有电子电路。温度调整部对电路板的温度进行调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119213547A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202380041066.2
申请日：2023-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供一种基板处理装置。基板处理装置具备腔室、基台、静电保持盘、控制电路以及探测电路。静电保持盘配置在基台上。静电保持盘包括电介质构件、至少一个加热器电极层以及至少一个电阻层。电介质构件具有基板支承面。至少一个加热器电极层由第一材料形成。至少一个电阻层由第二材料形成。至少一个电阻层是具有300μm以下的厚度的至少一个电阻层。第二材料的电阻温度系数为第一材料的电阻温度系数以上。
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公开(公告)号：CN112420583A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010818424.4
申请日：2020-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供载置台和等离子体处理装置，其使配置于载置台内的收容空间的基板的动作的稳定性提高。载置台包括：基台，其在内部具有收容空间；电介质层，其设于所述基台的第1面，具有载置基板的载置面，该电介质层在内部具有多个加热器；以及加热器控制基板，其配置于所述收容空间内，用于驱动所述多个加热器，所述基台在与所述第1面相反的面即所述基台的第2面具有向所述收容空间内导入制冷剂的导入口。
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公开(公告)号：CN112349644A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010758747.9
申请日：2020-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种载置台和基板处理装置，能够控制载置台内的流路中的除热均匀性。在静电吸盘上载置基板的载置台具有：基台；所述静电吸盘，其被载置于所述基台的载置面；以及流路，其沿所述载置面形成于所述载置台的内部，用于使热交换介质从热交换介质的供给口流通至排出口，其中，在从所述供给口到所述排出口之间，所述流路的上表面与所述载置面的距离是固定的，所述流路的在与所述上表面垂直的方向上的截面形状根据所述流路的位置而不同。
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公开(公告)号：CN112420583B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202010818424.4
申请日：2020-08-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供载置台和等离子体处理装置，其使配置于载置台内的收容空间的基板的动作的稳定性提高。载置台包括：基台，其在内部具有收容空间；电介质层，其设于所述基台的第1面，具有载置基板的载置面，该电介质层在内部具有多个加热器；以及加热器控制基板，其配置于所述收容空间内，用于驱动所述多个加热器，所述基台在与所述第1面相反的面即所述基台的第2面具有向所述收容空间内导入制冷剂的导入口。
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公开(公告)号：CN112349646A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010760245.X
申请日：2020-07-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供载置台和基板处理装置。对基板的最外周的温度进行控制。提供一种载置台，该载置台具有位于基板的外侧的第1面和载置基板的第2面，其中，该载置台与所述第1面对应地形成第1流路。
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