-
公开(公告)号：CN118786514A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202380024123.6
申请日：2023-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种提高进行基片的温度调节时的调节精度的分析装置、基片处理系统、基片处理装置、分析方法和分析程序。分析装置具有：学习部，其构成为能够使用在处于第1真空环境下的处理空间中设置于基片支承部的被分割了的各区域的温度调节元件的设定参数、和作为由所述基片支承部支承的基片的各位置的温度数据的第1温度数据组来进行学习处理，生成学习完成模型；和计算部，其构成为能够使用所述学习完成模型，计算与所述基片的目标温度相应的各温度调节元件的设定参数。
Search Results
1
records
(took 0.023 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
