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公开(公告)号：CN110556286B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910470018.0
申请日：2019-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置，适当地判定是否发生了与基板的温度有关的异常的技术。基板处理方法包括以下步骤：测定施加于部件的电压的变化和流过该部件的电流，所述部件设置在对晶圆进行处理的基板处理装置；参照将多个电阻值与多个温度建立对应的转换表，根据基于该测定出的电压和电流计算出的电阻值的变化来计算该部件的温度；基于该测定出的电压的变化来判定是否发生了与该晶圆的温度有关的异常；以及在判定为发生了与该晶圆的温度有关的异常时，停止对该晶圆进行处理。
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公开(公告)号：CN119744437A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202380061306.5
申请日：2023-08-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , G05D23/00 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 基座配置在等离子体处理腔室内。静电卡盘配置在基座的上部。第一加热器电极层配置在静电卡盘内。第二加热器电极层配置在静电卡盘内的在俯视时与第一加热器电极层不同的位置。第一温度传感器测量第一加热器电极层的温度。第二温度传感器测量第二加热器电极层的温度。信号线与第一温度传感器和第二温度传感器电连接。GND线与第一温度传感器和第二温度传感器电连接。信号检测部与信号线和GND线电连接。
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公开(公告)号：CN115527829A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210686471.7
申请日：2022-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法由等离子体处理装置进行，等离子体处理装置具备：基台；基板支承部，其具有支承基板的基板支承面；加热器，其能够调整基板支承面的温度；温度传感器，其测定基板支承面的温度；电力调整部，其调整向加热器供给的电力；以及控制部，等离子体处理方法包括以下工序：将基板支承面的设定温度设定为第一温度；在等离子体生成前，测定电力调整部向加热器供给的第一电力；在等离子体生成后，测定电力调整部向加热器供给的第二电力；基于第一电力和第二电力，来计算来自等离子体的热输入量；基于计算出的热输入量、以及基板支承部与温度传感器之间的热阻，来将第一温度校正为第二温度。
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公开(公告)号：CN119213547A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202380041066.2
申请日：2023-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供一种基板处理装置。基板处理装置具备腔室、基台、静电保持盘、控制电路以及探测电路。静电保持盘配置在基台上。静电保持盘包括电介质构件、至少一个加热器电极层以及至少一个电阻层。电介质构件具有基板支承面。至少一个加热器电极层由第一材料形成。至少一个电阻层由第二材料形成。至少一个电阻层是具有300μm以下的厚度的至少一个电阻层。第二材料的电阻温度系数为第一材料的电阻温度系数以上。
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公开(公告)号：CN110556286A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910470018.0
申请日：2019-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置，适当地判定是否发生了与基板的温度有关的异常的技术。基板处理方法包括以下步骤：测定施加于部件的电压的变化和流过该部件的电流，所述部件设置在对晶圆进行处理的基板处理装置；参照将多个电阻值与多个温度建立对应的转换表，根据基于该测定出的电压和电流计算出的电阻值的变化来计算该部件的温度；基于该测定出的电压的变化来判定是否发生了与该晶圆的温度有关的异常；以及在判定为发生了与该晶圆的温度有关的异常时，停止对该晶圆进行处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118737798A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410834096.5
申请日：2020-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。本发明还提供一种提高设置于静电吸盘内的加热器的温度控制的精度的等离子体处理装置。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，按照以第一频率规定的周期向基板支承器的下部电极供给脉冲状的高频电力。按照该周期向配置于基板支承器上的边缘环施加脉冲状的负极性的直流电压。在基板支承器的静电吸盘内设置有加热器。基于加热器的电阻值来控制向加热器供给的电力。根据向加热器供给的电流的采样值和向加热器施加的电压的采样值来求出加热器的电阻值。电流的采样值和电压的采样值的采样频率即第二频率与第一频率不同。
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公开(公告)号：CN112117178B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010531470.6
申请日：2020-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种提高设置于静电吸盘内的加热器的温度控制的精度的等离子体处理装置。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，按照以第一频率规定的周期向基板支承器的下部电极供给脉冲状的高频电力。按照该周期向配置于基板支承器上的边缘环施加脉冲状的负极性的直流电压。在基板支承器的静电吸盘内设置有加热器。基于加热器的电阻值来控制向加热器供给的电力。根据向加热器供给的电流的采样值和向加热器施加的电压的采样值来求出加热器的电阻值。电流的采样值和电压的采样值的采样频率即第二频率与第一频率不同。
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公开(公告)号：CN117438275A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310894295.0
申请日：2023-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 山田和人
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和温度控制方法，即使加热器的数量也增加也会抑制向加热器供给电力的电源的电力容量的增加。基座配置于等离子体处理腔室内。静电卡盘配置于基座的上部，具有第一部分和第二部分。第一加热器电极层组包括配置于第一部分内的至少一个加热器电极层。第二加热器电极层组包括配置于第二部分内的至少一个加热器电极层。电源电连接于第一加热器电极层组和第二加热器电极层组。控制部进行控制以便周期性地依次从电源向第一加热器电极层组所包括的各加热器电极层和第二加热器电极层组所包括的各加热器电极层供给DC电流。
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公开(公告)号：CN113707529A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110528835.4
申请日：2021-05-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置和参数获取方法，用于提高加热器的温度的控制精度。基板处理装置具备：加热器电阻器；数字滤波器，其对检测电压和检测电流中的至少一方进行滤波，所述检测电压是被设为施加于加热器电阻器的电压来检测出的数字电压值，所述检测电流是以将根据所述加热器电阻器和流过所述加热器电阻器的电流计算出的电压转换为数字电压值的方式来检测的；以及控制部，其使用检测电压和检测电流中的至少一方通过数字滤波器而被进行了滤波的检测电压和检测电流，来控制加热器电阻器的温度。
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公开(公告)号：CN113299579A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110176707.8
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和载置台，使基板处理装置小型化。使用等离子体来处理基板的基板处理装置具备收容基板的腔室、以及配置于腔室内的用于载置基板的载置台。载置台具有基台、基板保持部、多个加热器、加热器控制部以及RF滤波器。基台由导体形成，RF电力在基台中流过。基板保持部设置于基台上，用于保持基板。多个加热器设置于基板保持部。加热器控制部设置于基台的内部，用于控制供给到多个加热器的各加热器的电力。RF滤波器设置于基台的外部，与用于将电力供给到各加热器的布线连接。另外，针对多个加热器共通地设置有一个RF滤波器。
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