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公开(公告)号：CN108803260A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810554485.7
申请日：2018-06-01
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
CPC classification number: G03F7/38 , H05B1/0233 , H05B3/02 , H05B3/20
Abstract: 本发明涉及一种曝光后烘焙装置，涉及集成电路制造技术，该曝光后烘焙装置包括：一晶圆、一热板以及一加热装置，所述热板位于所述晶圆下方，用于对所述晶圆进行加热，所述加热装置位于所述热板下方，用于对所述热板进行加热，所述加热装置包括一底盘和多个热探针，所述多个热探针设置于所述底盘上，且所述多个热探针的温度可控；以使热板的局部温度可调，进而调节晶圆上的线宽，达到较高的光刻线宽精度。
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公开(公告)号：CN108803259A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810536842.7
申请日：2018-05-30
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明为一种晶圆烘焙热板系统及其温度控制方法，包括一板体、一测温模块、一升温模块、一降温模块。由此，通过热电效应材料的制冷装置，该制冷装置结构简单、无需任何传动部件、可靠性高、体积较小的、与热板的平面板状匹配，实现了该热板温度的快速、精准调节，提高热板表面的温度均匀性和热板的温控速率，从而提高了曝光后线条宽度的均匀性，并提升了机台在生产过程中的产出能力。
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公开(公告)号：CN105474381B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201580001486.3
申请日：2015-05-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H05B1/023 , H05B1/0233 , H05B3/02
Abstract: 本文所描述的实现方式提供一种基板支撑组件，所述基板支撑组件允许对静电夹盘与加热组件之间的热传递的横向调谐与方位角调谐两者。基板支撑组件包含：主体，具有基板支撑表面和下表面；一个或更多个主电阻加热器，设置在主体中；多个空间可调谐加热器，设置在主体中；以及空间可调谐加热器控制器，耦接至多个空间可调谐加热器，所述空间可调谐加热器控制器配置成用于独立地控制多个空间可调谐加热器中的一者相对于多个空间可调谐加热器中的另一者的输出。
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公开(公告)号：CN107851593A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201780001149.3
申请日：2017-05-19
Applicant: 贺利氏特种光源有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/673 , H05B3/26
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/67303 , H01L21/67306 , H01L21/6732 , H01L21/67323 , H05B1/0233 , H05B3/24 , H05B3/26 , H05B2203/032
Abstract: 用于衬底的热处理的已知装置具有加热设备和设有用于衬底的支撑表面的载体。在已知装置的基础上，根据本发明而建议一种准许高衬底吞吐量的装置，因为载体的至少部分由包括无定形基质成分和以半导体材料的形式的附加成分的复合材料产生，其中将作为加热设备的部分并且由当电流经过它时生成热量的导电电阻材料制成的导体路径施加于复合材料的表面。
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公开(公告)号：CN107460451A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710307714.0
申请日：2017-05-04
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H05B1/0233 , H05B3/24 , C23C16/46 , C23C14/50
Abstract: 本发明涉及自居中底座加热器。本发明提供了一种底座，所述底座包括：主体；加热器，嵌入在主体中；支撑凹槽，在主体内形成，具有安置在第一平面中的表面；周边表面，安置在第二平面中，包围支撑凹槽；以及多个定心凸片，定位在支撑凹槽与周边表面之间，每个定心凸片具有安置在第三平面中的表面，第三平面在第一平面和第二平面两者之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107006077A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580069116.3
申请日：2015-10-23
CPC classification number: H05B3/145 , B60S1/026 , H01L51/529 , H05B1/0233 , H05B3/0004 , H05B3/0014 , H05B3/84 , H05B2203/007 , H05B2203/011 , H05B2203/013 , H05B2203/017 , H05B2203/037 , H05B2214/04
Abstract: 本发明涉及一种透明加热装置，其包括：被固定到透明基板的石墨烯膜；被连接到石墨烯膜的第一边缘的第一电极(205)；以及被连接到石墨烯膜的第二边缘的第二电极(206)，其中，存在跨石墨烯膜从第一电极(205)至第二电极(206)的电阻梯度。
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公开(公告)号：CN105470165A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510617497.6
申请日：2015-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67109 , H05B1/0233 , H01L21/67098
Abstract: 本发明提供能够更可靠地检测热处理状态的异常的基板热处理装置、基板热处理方法以及热处理状态检测装置。热处理单元(U2)包括：热板(20)，其用于载置晶圆(W)；加热器(21)，其用于对载置部上的晶圆(W)进行加热；多个温度传感器(40)，其以与热板(20)上的晶圆(W)的多个部位分别相对应的方式配置；以及控制部(100)。控制部(100)以能执行如下步骤的方式构成，即，根据由多个温度传感器(40)检测出的温度来控制加热器(21)的步骤、计算在将由多个温度传感器(40)检测出的温度视作质量的情况下的相当于重心的温度重心的位置的步骤、根据所述温度重心的位置来检测晶圆(W)的热处理状态的步骤。
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公开(公告)号：CN105336562A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410350605.3
申请日：2014-07-22
Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/324 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L22/20 , H05B1/0233
Abstract: 一种热处理腔室和热处理方法、涂布设备，其中所述热处理腔室包括：晶圆载板，适于放置待加热晶圆；热源，位于晶圆载板下方，适于对晶圆载板进行加热；第一驱动单元，与热源相连接，适于驱动所述热源靠近或远离所述晶圆载板。本发明热处理腔室的热源可以在第一驱动单元的作用下远离或靠近所述晶圆载板，因而在对晶圆载板进行升温或降温时，不仅可以通过调节热源的温度来使得晶圆载板的温度上升或下降，而且可以通过调节热源与晶圆载板的距离实现晶圆载板的温度的上升或下降，从而极大的减小了使晶圆载板的温度的上升或下降时的调节时间。
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公开(公告)号：CN103947287B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201280052498.5
申请日：2012-08-30
Applicant: 沃特洛电气制造公司
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6833 , H05B1/00 , H05B1/02 , H05B1/0202 , H05B1/0227 , H05B1/0233 , H05B3/02 , H05B3/06 , H05B3/20 , H05B2203/005 , H05B2203/013 , H05B2213/03 , Y10T156/10
Abstract: 本发明提供了一种系统和方法。所述系统和方法至少有三个电力节点，其中，热元件连接在每一对电力节点之间。
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公开(公告)号：CN102763201B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180009496.3
申请日：2011-02-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山大·戈尔丁 , 欧勒格·V·塞雷布里安诺夫
IPC: H01L21/324
CPC classification number: F24C15/00 , H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H05B1/0233 , H05B3/0047
Abstract: 本发明揭示了一种快速热处理腔室，所述快速热处理腔室具有灯具驱动电路，灯具驱动电路包含两个晶体管和两个二极管。快速热处理腔室包含多个卤素灯具、灯具驱动器、测量晶片温度的温度传感器以及连接至温度传感器和灯具驱动器的温度控制器，温度控制器提供控制信号给灯具驱动器，控制信号为晶片温度与期望温度的函数。灯具驱动器包含由控制信号控制的两个晶体管，使得供应给多个卤素灯具的功率的功率因数(power factor)在0.9到1之间的范围。
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