公开(公告)号：CN102753727A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180006900.1

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽亮太 ,  高桥哲朗 ,  大崎良规 ,  铃木公贵 ,  齐藤智博 ,  山下润 ,  佐藤吉宏 ,  盐泽俊彦 ,  山崎幸一 ,  古木和弘

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 在电介质板（28）和盖部件（13）的支撑部（13a）之间具有环状的O型环（29a），并且在该O型环（29a）的外周侧设置有用于在处理容器（1）的上部配置的盖部件（13）的支撑部（13a）和电介质板（28）之间形成缝隙（d）的垫片（60）。即使处理容器（1）内的等离子体的热导致盖部件（13）和电介质板（28）热膨胀，通过缝隙（d），盖部件（13）和电介质板（28）也不会接触、摩擦，能够防止电介质板（28）的破损和颗粒的产生。

公开(公告)号：CN101937844B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010263420.0

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN109427531B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201810969328.2

申请日：2018-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤雅纪 ,  樫村龙成 ,  纲本哲 ,  大崎良规 ,  荒金俊行

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够简易地进行等离子体的自偏压(Vdc)的测定的测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的所述电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。

公开(公告)号：CN101048858B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200580036456.2

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN101048858A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036456.2

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN109427531A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810969328.2

申请日：2018-08-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤雅纪 ,  樫村龙成 ,  纲本哲 ,  大崎良规 ,  荒金俊行

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种能够简易地进行等离子体的自偏压(Vdc)的测定的测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的所述电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。

公开(公告)号：CN102737977A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210088845.1

申请日：2012-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大崎良规 ,  黑田豪

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4983 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法能够提高利用低温ALD法形成的氮化硅膜的耐蚀性。该等离子体氮化处理方法使用等离子体处理装置(100)，该等离子体处理装置(100)具备：在上部具有开口的处理容器(1)、载置晶片(W)的载置台(2)、堵塞处理容器(1)的开口且使微波透过的微波透过板(28)、具有多个用于将微导波入处理容器(1)内的隙缝的平面天线(31)。在处理容器(1)内，生成含有含氮气体和稀有气体的处理气体的等离子体，对晶片(W)上的氮化硅膜进行等离子体氮化处理。氮化硅膜是利用ALD法在400℃以下的成膜温度下进行成膜的氮化硅膜，等离子体氮化处理在以ALD法中的成膜温度为上限的处理温度下进行。

公开(公告)号：CN101937844A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010263420.0

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。