公开(公告)号：CN107523805B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201710464610.0

申请日：2017-06-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下润

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明提供一种在对多种气体进行混合时使气体均匀地混合的气体混合装置和基板处理装置。在上表面被封闭的圆筒部的底面中央部设置有气体流出路，沿着气体流出路的开口缘以隔着间隔的方式配置相对于圆筒部的中心呈旋转对称的多个气体流导向壁。另外，使气体流导向壁的周向的一个端部向靠圆筒部的中心部的位置屈曲。而且，在气体流导向壁与圆筒部的内周面之间的靠气体流导向壁周向的另一侧的位置处连接有第一气体流入管～第三气体流入管。从第一气体流入管～第三气体流入管供给的气体成为沿气体流导向壁的外周面流动后沿处于周向的一侧的气体流导向壁的内周面流动的涡流，来在气体流出路中被混合。

公开(公告)号：CN101322225B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200780000462.1

申请日：2007-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下润

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其在腔室(1)的内周侧的多处均等地形成的气体喷出口(15)，通过气体导入路(14)与在下部腔室(2)的上端和盖部(30)的上板(27)的下端的接触面部，由台阶部(18)和台阶部(19)形成的间隙的环状连通路(13)相连接。环状连通路(13)具有作为向各导入路(14)均等分配气体并供给气体的气体分配单元的功能，在下部腔室(2)的壁内的任意处通过沿垂直方向形成的气体通路(12)、气体导入口(72)与气体供给源(16)相连接。

公开(公告)号：CN101189708A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680019287.6

申请日：2006-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下润 ,  中西敏雄 ,  西田辰夫

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32633 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供使用等离子体对半导体基板等被处理基板进行处理的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在等离子体氧化处理装置(100)中，在基座(2)的上方，配备有二重板(60)。上侧板(61)和下侧板(62)分别由石英等电介质构成，以规定的间隔(例如5mm)相互分离且平行地配置，并且具有多个贯通孔(61a)、(62a)。在将两块板重合的状态下，以使下侧板(62)的贯通孔(62a)和上侧板(61)的贯通孔(61a)不重合的方式错开配置。

公开(公告)号：CN103188835B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201210584999.X

申请日：2012-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  河西繁 ,  山下润 ,  伴昌和

IPC: H05B6/64 ,  H05B6/80 ,  H01L21/67

CPC classification number: H05B6/6402 ,  H05B6/6426 ,  H05B6/70 ,  H05B6/707 ,  H05B6/72 ,  H05B6/806

Abstract: 本发明提供电力的利用效率和加热效率优异、能够对被处理体进行均匀的处理的微波加热处理装置和处理方法。在微波加热处理装置（1）中，在处理容器（2）的顶部（11），四个微波导入口（10）分别配置为以其长边和短边与四个侧壁部（12A、12B、12C、12D）的内壁面平行，且配置于相互变更90°角度的旋转位置。各微波导入口（10）配置为，在沿与各自的长边垂直的方向平行移动的情况下，不与具有平行的长边的其它微波导入口（10）重叠。

公开(公告)号：CN101842881B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200980100872.2

申请日：2009-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中村秀雄 ,  山下润 ,  北川淳一 ,  壁义郎 ,  福田良则

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。在向埋设有载置台(5)的电极(7)供给偏压用的高频电力的等离子体氧化处理装置(100)中，在相对于载置台(5)作为相对电极起作用的铝制的盖部(27)的内周的暴露于等离子体的表面，涂敷作为保护膜的硅膜(48)。与硅膜(48)相邻在第二容器(3)和第一容器(2)的内面设置有上部衬里(49a)和壁厚形成为比该上部衬里(49a)厚的下部衬里(49b)，防止向这些部分的短路或异常放电，形成适当的高频电流路径，提高电力消耗效率。

公开(公告)号：CN101836284A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200880109010.1

申请日：2008-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下润

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32834 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32623

Abstract: 本发明提供一种对被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置。该装置包括：形成有处理空间(15)的处理容器(2)；设置在处理空间(15)内、用于载置被处理基板(W)的基板载置台(3)；处理空间形成部件(16)，设置在内部空间(15)内，具有比该内部空间(15)的内径(a15)小的内径(a1)，并在基板载置台(3)的上方划分有进行等离子体处理的处理空间(1)；排气口(6)，设置在处理空间形成部件(16)的上端部(16a)与内部空间(15)的内壁(15a)之间，从处理空间(1)对气体进行排气。

公开(公告)号：CN101189707A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200680019335.1

申请日：2006-05-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下润

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32458 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，等离子体处理装置(100)具有构成为气密并接地的大致圆筒状的腔室(1)，在腔室(1)的上部配设有天线部件(30)。该腔室(1)由大致圆筒形的壳体(2)，和从上方与壳体(2)接合、围绕处理空间的圆筒形的腔壁(3)构成分割结构，腔壁(3)装卸自由。

公开(公告)号：CN107546152A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710482296.9

申请日：2017-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下润

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供在混合多个气体而向基板供给来进行处理时、能够可靠性较高地进行该混合的气体处理装置、气体处理方法和存储介质。以如下方式构成装置：具备：第1气体流路，向其上游侧供给第1气体，其下游侧分支而构成多个第1分支路径；第2气体流路，向其上游侧供给第2气体，其下游侧分支而构成多个第2分支路径；环状的混合室，所述多个第1分支路径的各下游端与该混合室的周向上的彼此分开的第1位置连接，所述多个第2分支路径的各下游端与该混合室的周向上的彼此分开的第2位置连接，并且排出路径与该混合室连接，该混合室用于使从所述第1分支路径和第2分支路径分别向所述排出路径流动的所述第1气体和所述第2气体混合而生成混合气体。

公开(公告)号：CN103188835A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210584999.X

申请日：2012-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  河西繁 ,  山下润 ,  伴昌和

IPC: H05B6/64 ,  H05B6/80 ,  H01L21/67

CPC classification number: H05B6/6402 ,  H05B6/6426 ,  H05B6/70 ,  H05B6/707 ,  H05B6/72 ,  H05B6/806

Abstract: 本发明提供电力的利用效率和加热效率优异、能够对被处理体进行均匀的处理的微波加热处理装置和处理方法。在微波加热处理装置（1）中，在处理容器（2）的顶部（11），四个微波导入口（10）分别配置为以其长边和短边与四个侧壁部（12A、12B、12C、12D）的内壁面平行，且配置于相互变更90°角度的旋转位置。各微波导入口（10）配置为，在沿与各自的长边垂直的方向平行移动的情况下，不与具有平行的长边的其它微波导入口（10）重叠。

公开(公告)号：CN102160166B

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN200980136399.3

申请日：2009-09-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山下润

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67126 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板载置台。该基板处理装置用于在被保持为真空的处理容器内对基板(W)进行等离子体处理，在处理容器内具备载置基板(W)的基板载置台(5)。基板载置台(5)包括：由AlN构成的载置台主体(51)；设置在载置台主体(51)内的基板加热用发热体(56)；覆盖载置台主体(51)的表面的石英制的第一盖体(54)；使基板(W)升降的多个升降销(52)；在载置台主体(51)内插通升降销(52)的多个插通孔(53)；在第一盖体(54)的与插通孔(53)对应的位置形成的多个开口(54a)；和将开口(54a)的内表面的至少一部分与插通孔(53)内周面的至少一部分覆盖的与第一盖体(54)分体设置的石英制的第二盖体(55)。