热处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1701416A

    公开(公告)日:2005-11-23

    申请号:CN200480000855.9

    申请日:2004-08-11

    Abstract: 本发明的目的在于,防止处理气体侵入载置台下方的空间,在支柱(56)的上端部的内周部分设置支撑载置台(58)的下面的支撑面(62),在支撑面(62)的外侧的支柱(56)的上端部的中间周向部分,形成沿着周向延伸的净化气体槽(64)。在与净化气体槽(64)的外侧的支柱(56)的上端部的外周部分对应的位置,设置狭窄流路(68)。从净化气体供给部件(66)提供给净化气体槽(64)内的净化气体,沿周向扩散到净化气体槽(64)内,从狭窄流路(68)向外侧流出,通过这样的净化气体的流动,可防止处理气体侵入净化气体槽(64)和载置台的下方的空间(S1)中。

    热处理装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100349262C

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200480000855.9

    申请日:2004-08-11

    Abstract: 本发明的目的在于,防止处理气体侵入载置台下方的空间,在支柱(56)的上端部的内周部分设置支撑载置台(58)的下面的支撑面(62),在支撑面(62)的外侧的支柱(56)的上端部的中间周向部分,形成沿着周向延伸的净化气体槽(64)。在与净化气体槽(64)的外侧的支柱(56)的上端部的外周部分对应的位置,设置狭窄流路(68)。从净化气体供给部件(66)提供给净化气体槽(64)内的净化气体,沿周向扩散到净化气体槽(64)内,从狭窄流路(68)向外侧流出,通过这样的净化气体的流动,可防止处理气体侵入净化气体槽(64)和载置台的下方的空间(S1)中。

    基板处理装置以及基板旋转装置

    公开(公告)号:CN101010792A

    公开(公告)日:2007-08-01

    申请号:CN200580028801.8

    申请日:2005-10-27

    CPC classification number: H01L21/68792 H01L21/67109

    Abstract: 本发明提供一种为了大幅降低颗粒的产生量而进行改良后的基板旋转装置、以及具备该基板旋转装置的基板处理装置。基板旋转装置包括:直接或者间接地连接在基板支承体上的从动旋转体、例如从动环;和在与可动部件接触的状态下,进行旋转从而旋转驱动上述从动旋转体的驱动旋转体、例如,驱动转子。从动旋转体和驱动旋转体,由JIS R1607标准规定的破坏韧性的值以及/或者JIS R1601标准规定的三点弯曲强度的值不同的陶瓷材料构成。

    基板处理装置以及基板旋转装置

    公开(公告)号:CN101515541A

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200910126384.0

    申请日:2005-10-27

    CPC classification number: H01L21/68792 H01L21/67109

    Abstract: 本发明提供一种为了大幅降低颗粒的产生量而进行改良后的基板旋转装置、以及具备该基板旋转装置的基板处理装置。基板处理装置,其特征在于,包括:间隔用于处理基板的处理空间的处理容器;在所述处理容器内支承所述基板的基板支承体;直接或间接地连接在所述基板支承体上、由陶瓷材料形成的从动旋转体;和在所述处理容器内,经由缓冲部件与所述从动旋转体接触,支撑所述从动旋转体并且旋转驱动所述从动旋转体的,由陶瓷材料形成的驱动旋转体。

    基板处理装置以及基板旋转装置

    公开(公告)号:CN100527379C

    公开(公告)日:2009-08-12

    申请号:CN200580028801.8

    申请日:2005-10-27

    CPC classification number: H01L21/68792 H01L21/67109

    Abstract: 本发明提供一种为了大幅降低颗粒的产生量而进行改良后的基板旋转装置、以及具备该基板旋转装置的基板处理装置。基板旋转装置包括:直接或者间接地连接在基板支承体上的从动旋转体、例如从动环;和在与可动部件接触的状态下,进行旋转从而旋转驱动上述从动旋转体的驱动旋转体、例如,驱动转子。从动旋转体和驱动旋转体,由JIS R1607标准规定的破坏韧性的值以及/或者JIS R1601标准规定的三点弯曲强度的值不同的陶瓷材料构成。

    基板保持机构、成膜装置及成膜方法

    公开(公告)号:CN119465097A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411490145.4

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本发明提供基板保持机构、成膜装置及成膜方法。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板,该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括:载物台,其由电介质构成,用于支承被处理基板;吸附电极,其设于载物台内;以及加热器,其加热载物台,利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面,载物台具有:密合区域,其呈环状,位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置,与被处理基板密合,而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能;以及槽部,其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分,能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜。

    基板保持机构和成膜装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111218671A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201911173253.8

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本发明提供基板保持机构和成膜装置。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板,该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括:载物台,其由电介质构成,用于支承被处理基板;吸附电极,其设于载物台内;以及加热器,其加热载物台,利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面,载物台具有:密合区域,其呈环状,位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置,与被处理基板密合,而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能;以及槽部,其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分,能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜。

    等离子体处理装置的衬里

    公开(公告)号:CN301895306S

    公开(公告)日:2012-04-25

    申请号:CN201130327098.9

    申请日:2011-09-13

    Abstract: 1.外观设计产品的名称:等离子体处理装置的衬里。2.外观设计产品的用途:本产品是设置在使用等离子体对基板进行蚀刻等处理的等离子体处理装置内壁上的衬里,用于防止处理容器的构成材料等造成金属污染。3.外观设计的设计要点:本外观设计的设计要点在于产品的形状。4.指定的图片或照片:立体图。

    等离子体处理装置的衬里
    10.
    外观设计

    公开(公告)号:CN301901949S

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201130327097.4

    申请日:2011-09-13

    Abstract: 1.外观设计产品的名称:等离子体处理装置的衬里。2.外观设计产品的用途:本产品是设置在使用等离子体对基板进行蚀刻等处理的等离子体处理装置内壁上的衬里,用于防止处理容器的构成材料等造成金属污染。3.外观设计的设计要点:本外观设计的设计要点在于产品的形状。4.指定的图片或照片:立体图。

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