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公开(公告)号：CN111381194B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201911377536.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定静电吸盘的静电容量的测定方法和测定治具。所述测定方法包括以下工序：使端子与静电吸盘内的电极接触，所述静电吸盘与同地连接的基板接触；固定所述端子、所述静电吸盘和所述基板；利用与所述端子连接的电流计及电压计来测定电流值和电压值；以及基于测定出的所述电流值和所述电压值，根据所述电流值的斜率和/或所述电流值的峰值时的值来判定所述端子与所述电极之间的导通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427531A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810969328.2
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够简易地进行等离子体的自偏压(Vdc)的测定的测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的所述电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。
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公开(公告)号：CN114093740A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110936739.3
申请日：2021-08-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法,其高效地对基板进行除电。该基板处理方法包括:(a)将基板吸附于静电卡盘的工序；(b)对上述基板进行处理的工序；(c)基于事先存储于存储部中的表示基板处理时的静电卡盘的最大表面温度与基板的残留电荷量的相关关系的信息来决定除电温度,并且将上述静电卡盘的表面温度调整至上述除电温度以上的工序；以及(d)对上述基板进行除电的工序。
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公开(公告)号：CN118843611A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026396.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人名古屋工业大学
IPC: C04B35/111 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 一种氧化铝陶瓷部件，含有平均粒径100μm以下的氧化铝多晶体，所述氧化铝多晶体的晶界中，氧化物的结晶状态、石榴子石结构的结晶状态和非结晶状态以外的状态的钇被掺杂。
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公开(公告)号：CN109427531B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201810969328.2
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够简易地进行等离子体的自偏压(Vdc)的测定的测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的所述电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。
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公开(公告)号：CN111381194A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911377536.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定静电吸盘的静电容量的测定方法和测定治具。所述测定方法包括以下工序：使端子与静电吸盘内的电极接触，所述静电吸盘与同地连接的基板接触；固定所述端子、所述静电吸盘和所述基板；利用与所述端子连接的电流计及电压计来测定电流值和电压值；以及基于测定出的所述电流值和所述电压值，根据所述电流值的斜率和/或所述电流值的峰值时的值来判定所述端子与所述电极之间的导通。
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