公开(公告)号：CN109075061B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN201780023819.1

申请日：2017-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01L21/302

Abstract: 基板处理装置具备：两个处理部(11a、11b)，其对两张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构(14)，其对处理部(11a、11b)独立地供给气体；以及共同的排气机构(15)，其对处理部(11a、11b)内的气体统一进行排气，在使用该基板处理装置实施规定的处理时，进行第一模式并进行第二模式，在所述第一模式中，向处理部(11a)供给HF气体和NH3气体，不对处理部(11b)供给HF气体，在所述第二模式中，对处理部(11a、11b)以相同的气体条件供给HF气体和NH3气体，其中，在进行第一模式时，阻止处理部(11a、11b)间产生压力差。

公开(公告)号：CN109244004A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811000665.7

申请日：2015-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥宏幸 ,  风间和典 ,  岩渕纪之 ,  户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

公开(公告)号：CN102753727A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180006900.1

申请日：2011-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 米泽亮太 ,  高桥哲朗 ,  大崎良规 ,  铃木公贵 ,  齐藤智博 ,  山下润 ,  佐藤吉宏 ,  盐泽俊彦 ,  山崎幸一 ,  古木和弘

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/16 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/166

Abstract: 在电介质板（28）和盖部件（13）的支撑部（13a）之间具有环状的O型环（29a），并且在该O型环（29a）的外周侧设置有用于在处理容器（1）的上部配置的盖部件（13）的支撑部（13a）和电介质板（28）之间形成缝隙（d）的垫片（60）。即使处理容器（1）内的等离子体的热导致盖部件（13）和电介质板（28）热膨胀，通过缝隙（d），盖部件（13）和电介质板（28）也不会接触、摩擦，能够防止电介质板（28）的破损和颗粒的产生。

公开(公告)号：CN101802986A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880024210.7

申请日：2008-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥哲朗 ,  藤野丰 ,  户岛宏至 ,  久保敦史 ,  康松润 ,  P·芬泽克 ,  濑川澄江

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。

公开(公告)号：CN109244004B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201811000665.7

申请日：2015-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥宏幸 ,  风间和典 ,  岩渕纪之 ,  户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

公开(公告)号：CN109075061A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780023819.1

申请日：2017-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  H01L21/302

Abstract: 基板处理装置具备：两个处理部(11a、11b)，其对两张被处理基板分别实施基板处理；气体供给机构(14)，其对处理部(11a、11b)独立地供给气体；以及共同的排气机构(15)，其对处理部(11a、11b)内的气体统一进行排气，在使用该基板处理装置实施规定的处理时，进行第一模式并进行第二模式，在所述第一模式中，向处理部(11a)供给HF气体和NH3气体，不对处理部(11b)供给HF气体，在所述第二模式中，对处理部(11a、11b)以相同的气体条件供给HF气体和NH3气体，其中，在进行第一模式时，阻止处理部(11a、11b)间产生压力差。

公开(公告)号：CN101937844A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010263420.0

申请日：2005-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤吉宏 ,  中山友绘 ,  小林浩 ,  大崎良规 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02332 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207

Abstract: 本发明提供一种绝缘膜形成方法，对基板上的氧化膜实施等离子体氮化处理，然后在处理容器(51)内对该基板实施退火处理而形成绝缘膜，其中，在667Pa以下的低压力条件下进行退火处理。退火处理进行5秒～45秒。在等离子体氮化处理时，通过使用形成有多个透孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。

公开(公告)号：CN105529289B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201510685548.9

申请日：2015-10-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥宏幸 ,  风间和典 ,  岩渕纪之 ,  户田聪 ,  高桥哲朗

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719

Abstract: 提供一种基板处理装置和基板处理方法，在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时，能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16)，其中，在对多个被处理基板实施基板处理时，控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体，一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。

公开(公告)号：CN105122432B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201480022312.0

申请日：2014-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  高桥哲朗 ,  守谷修司 ,  松本雅至 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN101802986B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200880024210.7

申请日：2008-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥哲朗 ,  藤野丰 ,  户岛宏至 ,  久保敦史 ,  康松润 ,  P·芬泽克 ,  濑川澄江

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。