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公开(公告)号：CN111381194B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201911377536.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定静电吸盘的静电容量的测定方法和测定治具。所述测定方法包括以下工序：使端子与静电吸盘内的电极接触，所述静电吸盘与同地连接的基板接触；固定所述端子、所述静电吸盘和所述基板；利用与所述端子连接的电流计及电压计来测定电流值和电压值；以及基于测定出的所述电流值和所述电压值，根据所述电流值的斜率和/或所述电流值的峰值时的值来判定所述端子与所述电极之间的导通。
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公开(公告)号：CN111863691B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202010299562.6
申请日：2020-04-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种除电方法和基片处理装置。除电方法包括：在静电吸盘上载置有基片的状态下向处理容器内导入气体的步骤；一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电的步骤；在基于所述气体的放电开始后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值的步骤；和施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离的步骤。本发明能够对基片的残留吸附进行充分的除电。
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公开(公告)号：CN109427531A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810969328.2
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够简易地进行等离子体的自偏压(Vdc)的测定的测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的所述电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。
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公开(公告)号：CN119452466A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380049739.9
申请日：2023-09-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤雅纪
IPC: H01L21/683 , C23C16/458 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供抑制基片的残留吸附的静电吸盘和基片处理装置。静电吸盘包括电介质和设置在所述电介质的内部的电极，所述电介质具有：第一主面；接触支承部，其比所述第一主面突出，与基片背面接触来支承所述基片；和槽部，其以在所述第一主面与所述接触支承部之间围绕所述接触支承部的方式设置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427531B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201810969328.2
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够简易地进行等离子体的自偏压(Vdc)的测定的测定装置、测定方法以及等离子体处理装置。所述测定装置具有：切换部，其对配置在等离子体处理装置内的静电卡盘内且被施加直流电压的所述电极的连接进行切换；具有静电电容的构件，其与所述切换部连接；以及测定部，其测定与所述具有静电电容的构件中蓄积的电荷量相当的值。
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公开(公告)号：CN111863691A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010299562.6
申请日：2020-04-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种除电方法和基片处理装置。除电方法包括：在静电吸盘上载置有基片的状态下向处理容器内导入气体的步骤；一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对值，直至开始基于所述气体的放电的步骤；在基于所述气体的放电开始后，施加使所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷中和区域的所述直流电压的绝对值的步骤；和施加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中和区域之后，使所述基片从所述静电吸盘脱离的步骤。本发明能够对基片的残留吸附进行充分的除电。
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公开(公告)号：CN111381194A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911377536.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种测定静电吸盘的静电容量的测定方法和测定治具。所述测定方法包括以下工序：使端子与静电吸盘内的电极接触，所述静电吸盘与同地连接的基板接触；固定所述端子、所述静电吸盘和所述基板；利用与所述端子连接的电流计及电压计来测定电流值和电压值；以及基于测定出的所述电流值和所述电压值，根据所述电流值的斜率和/或所述电流值的峰值时的值来判定所述端子与所述电极之间的导通。
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公开(公告)号：CN118843611A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202380026396.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人名古屋工业大学
IPC: C04B35/111 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 一种氧化铝陶瓷部件，含有平均粒径100μm以下的氧化铝多晶体，所述氧化铝多晶体的晶界中，氧化物的结晶状态、石榴子石结构的结晶状态和非结晶状态以外的状态的钇被掺杂。
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公开(公告)号：CN115719728A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210984564.8
申请日：2022-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供静电吸盘及其制造方法、基板支承器及等离子体处理装置，能够抑制从静电吸盘产生微粒。对基板进行静电吸附的静电吸盘基板具备：吸盘主体，其由第一陶瓷粒子形成，并具有与被吸附于所述静电吸盘的基板相向的基板相向面；多个凸部，所述多个凸部形成于所述吸盘主体的所述基板相向面，其中，各所述凸部的至少除前端侧层以外的部分由粒子的长径为20μm以上且2000μm以下的第二陶瓷粒子形成，并且该部分的气孔率为0.1％以上且1.0％以下。
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