公开(公告)号：CN102737977A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210088845.1

申请日：2012-03-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大崎良规 ,  黑田豪

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4983 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/3387 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法能够提高利用低温ALD法形成的氮化硅膜的耐蚀性。该等离子体氮化处理方法使用等离子体处理装置(100)，该等离子体处理装置(100)具备：在上部具有开口的处理容器(1)、载置晶片(W)的载置台(2)、堵塞处理容器(1)的开口且使微波透过的微波透过板(28)、具有多个用于将微导波入处理容器(1)内的隙缝的平面天线(31)。在处理容器(1)内，生成含有含氮气体和稀有气体的处理气体的等离子体，对晶片(W)上的氮化硅膜进行等离子体氮化处理。氮化硅膜是利用ALD法在400℃以下的成膜温度下进行成膜的氮化硅膜，等离子体氮化处理在以ALD法中的成膜温度为上限的处理温度下进行。