-
公开(公告)号：CN110797282B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910711315.X
申请日：2019-08-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，提供一种能够减少处理液的废弃量的技术。基板处理装置具有：处理室，在该处理室中利用处理液来对基板进行处理；喷嘴，其在前端部具有所述处理液的喷出口；喷嘴槽，在该喷嘴槽的内部形成有收容室，该收容室用于在所述处理液向所述基板的供给中断的待机时收容所述喷嘴的所述前端部；循环线路，其用于使从所述喷嘴喷出至所述喷嘴槽的所述处理液返回所述喷嘴；以及第一限制部，在使从所述喷嘴喷出至所述喷嘴槽的所述处理液向所述喷嘴循环时，该第一限制部限制所述喷嘴槽的外部与存在于所述喷嘴槽的内部的所述处理液之间的气体的流动。
-
公开(公告)号：CN109216180B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201810716004.8
申请日：2018-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN108292599B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201680068848.5
申请日：2016-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 基板处理装置具备：基板保持部(31)，其保持基板(W)；外喷嘴(45)，其以使基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式从比被基板保持部保持的基板的外周缘靠外侧的位置朝向基板的表面喷出处理液；以及致动器(46、90)，其能够变更外喷嘴的高度位置或俯仰角。
-
公开(公告)号：CN107851572B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201680044518.2
申请日：2016-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 基板处理装置具备：固定杯体(51)，其包围基板保持部(31)并接受被供给到基板的处理液或处理液的雾，且相对于处理容器相对地不动；雾防护件(80)；以及防护件升降机构(84)，其使雾防护件升降。雾防护件以包围固定杯体的方式设置于固定杯体的外侧，对越过固定杯体的上方而向外方飞散的液进行阻断。雾防护件具有：筒状的筒部(81)；以及伸出部(82)，其从筒部的上端朝且向固定杯体的侧伸出。
-
公开(公告)号：CN112002654A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010418111.X
申请日：2020-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理方法包括第一清洗步骤和第二清洗步骤。第一清洗步骤用第一清洗液清洗基片。第二清洗步骤在第一清洗步骤后，用与第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗基片。本发明在使用清洁度低的清洗液的情况下，也能够从基片充分地除去颗粒。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107039306A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610827131.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , H01L21/67034
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及处理腔室清洗方法，在对包括构成基板处理装置的处理腔室的壁体以及设于所述处理腔室内的设备的清洗对象部的表面进行清洗时，缩短清洗后的干燥时间。在进行向处理腔室(20)内喷射水而用水将清洗对象部(42、20a、53等)的表面润湿、使附着于清洗对象部的表面的除去对象物溶解于水的清洗工序之后，进行向处理腔室内喷射挥发性高于水的挥发性的溶剂而向附着于清洗对象部的表面的水供给溶剂的溶剂供给工序，之后，进行使清洗对象部的表面干燥的干燥工序。
-
公开(公告)号：CN101527259B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910004599.5
申请日：2009-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 大塚贵久
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , G03F7/3028 , H01L21/67109 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67248 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及衬底的处理方法、计算机存储介质以及衬底处理系统。在本发明中，在衬底上形成疏密的抗蚀剂图形的情况下，测定各个抗蚀剂图形尺寸，基于密的抗蚀剂图形的尺寸测定结果算出第一处理装置的修正值，基于疏的抗蚀剂图形的尺寸测定结果算出第二处理装置的修正值。基于这些算出结果，改变第一处理装置、第二处理装置中的处理条件，以后，以改变后的条件实施这些处理装置中的处理。
-
公开(公告)号：CN110931389B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201910875980.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括循环管线、过滤器、加热部、供给管线和冷却部。循环管线使处理液循环。过滤器设置在循环管线，用于从处理液中除去异物。加热部设置在循环管线中比过滤器靠下游侧处，用于加热处理液。供给管线在比过滤器和加热部靠下游侧处与循环管线连接，将处理液供给到基片。冷却部设置在循环管线中比过滤器、加热部以及循环管线与供给管线的连接点靠下游侧处，用于冷却处理液。本发明能够抑制在加热了处理液的情况下过滤器的除去性能降低。
-
公开(公告)号：CN107591345B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201710543742.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤：向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13)；在供给处理液的步骤(S12、S13)之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。
-
公开(公告)号：CN114551307A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111289481.9
申请日：2021-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。对于具备间距变换机构的基板处理装置削减基板的交接次数。基板处理装置包括：基板保持部，其将多个基板互相平行地以第1等间距保持；基板输送装置，其自基板收纳容器将以第2等间距收纳的多个基板一起取出；以及移载机构，其自基板输送装置接收以第2等间距排列的基板，并将间距转换成第1等间距，将间距转换完成的基板向基板保持部传递。移载机构具有：间距转换单元，其具有多个卡盘和将卡盘彼此之间的间隔在第1等间距与第2等间距之间变更的间距变换机构；以及移动机构，其使间距转换单元在基板输送装置与间距转换单元之间的基板交接位置和间距转换单元与基板保持部之间的基板交接位置之间移动。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.107 seconds)
