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公开(公告)号：CN109216180A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810716004.8
申请日：2018-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN117678056B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202280048780.X
申请日：2022-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中泽贵士
IPC: H01L21/306
Abstract: 基板处理装置具备紫外线照射部、保持部以及液供给部。所述紫外线照射部对在表面形成有钨膜和氮化钛膜的基板的所述表面照射紫外线，来在所述基板的所述表面形成氧化膜。所述保持部保持所述基板。所述液供给部对由所述保持部保持的所述基板的所述表面供给药液，通过所述药液去除所述氧化膜，并通过所述药液选择性地相对于所述钨膜而蚀刻所述氮化钛膜。
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公开(公告)号：CN117795653A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280055799.7
申请日：2022-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中泽贵士
IPC: H01L21/306 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明实施方式的基片处理方法包括：在保持基片(W)并使其旋转的状态下，向基片(W)的中央部供给SPM处理液，获取基片(W)的中央部的蚀刻量成为目标蚀刻量时基片(W)的径向的位置所对应的基准蚀刻量的步骤，其中，SPM处理液是硫酸和过氧化氢的混合液；和在使SPM处理液的供给位置从基片(W)的周缘部向基片(W)的中央部移动，对基片(W)进行利用SPM处理液的处理时，调节供给SPM处理液的供给喷嘴(42)的移动速度，以消除目标蚀刻量与基准蚀刻量之差的步骤。
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公开(公告)号：CN109216180B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201810716004.8
申请日：2018-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN113161255A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011576637.7
申请日：2020-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部内对基片释放混合液。此外，混合部包括：合流部，其用于供升温后的硫酸流动的硫酸供给管路与供液体流动的液体供给管路合流；和反应抑制机构，其抑制合流部中的升温后的硫酸与液体的反应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109427627A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810958419.6
申请日：2018-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制在紧接开始进行处理液的循环之后循环管线内的处理液被污染的液处理装置和液处理方法。实施方式所涉及的液处理装置具备罐、循环管线、泵、过滤器、背压阀以及控制部。罐用于贮存处理液。循环管线用于使从罐送出的处理液返回罐。泵用于形成循环管线中的处理液的循环流。过滤器设置于循环管线中的泵的下游侧。背压阀设置于循环管线中的过滤器的下游侧。控制部控制泵和背压阀。而且，控制部控制泵的喷出压力，以使在开始进行循环管线中的处理液的循环时，泵的喷出压力上升到规定的第一压力，并且在经过规定的时间后，泵的喷出压力增加到比第一压力大的第二压力。
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公开(公告)号：CN109427627B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201810958419.6
申请日：2018-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制在紧接开始进行处理液的循环之后循环管线内的处理液被污染的液处理装置和液处理方法。实施方式所涉及的液处理装置具备罐、循环管线、泵、过滤器、背压阀以及控制部。罐用于贮存处理液。循环管线用于使从罐送出的处理液返回罐。泵用于形成循环管线中的处理液的循环流。过滤器设置于循环管线中的泵的下游侧。背压阀设置于循环管线中的过滤器的下游侧。控制部控制泵和背压阀。而且，控制部控制泵的喷出压力，以使在开始进行循环管线中的处理液的循环时，泵的喷出压力上升到规定的第一压力，并且在经过规定的时间后，泵的喷出压力增加到比第一压力大的第二压力。
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公开(公告)号：CN117678056A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280048780.X
申请日：2022-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中泽贵士
IPC: H01L21/306
Abstract: 基板处理装置具备紫外线照射部、保持部以及液供给部。所述紫外线照射部对在表面形成有钨膜和氮化钛膜的基板的所述表面照射紫外线，来在所述基板的所述表面形成氧化膜。所述保持部保持所述基板。所述液供给部对由所述保持部保持的所述基板的所述表面供给药液，通过所述药液去除所述氧化膜，并通过所述药液选择性地相对于所述钨膜而蚀刻所述氮化钛膜。
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公开(公告)号：CN107039306B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201610827131.6
申请日：2016-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及处理腔室清洗方法，在对包括构成基板处理装置的处理腔室的壁体以及设于所述处理腔室内的设备的清洗对象部的表面进行清洗时，缩短清洗后的干燥时间。在进行向处理腔室(20)内喷射水而用水将清洗对象部(42、20a、53等)的表面润湿、使附着于清洗对象部的表面的除去对象物溶解于水的清洗工序之后，进行向处理腔室内喷射挥发性高于水的挥发性的溶剂而向附着于清洗对象部的表面的水供给溶剂的溶剂供给工序，之后，进行使清洗对象部的表面干燥的干燥工序。
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公开(公告)号：CN111799151A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010218557.8
申请日：2020-03-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括保持步骤、事先加热步骤、释放步骤和移动步骤。保持步骤保持基片。事先加热步骤加热相反面的中央部，该相反面是基片的与被处理面相反一侧的面。释放步骤在事先加热步骤后，对被处理面的周缘部释放作为硫酸和过氧化氢的混合液的SPM。移动步骤在释放步骤后，使SPM的释放位置从被处理面的周缘部向中央部移动。本发明能够在使用SPM的基片处理中抑制偏差。
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