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公开(公告)号：CN102610488B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210016401.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/68728 , B08B3/04 , B08B3/041 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/6719 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供一种液处理装置及液处理方法，其能够防止由附着在用于支承喷嘴的喷嘴支承臂上的污垢污染处理室内的基板。液处理装置(10)包括：处理室(20)，其在内部设有用于保持基板(W)的基板保持部(21)和配设在该基板保持部(21)的周围的杯(40)；喷嘴(82a)，其用于向保持在基板保持部(21)的基板W供给流体；喷嘴支承臂，其用于支承喷嘴(82a)。在液处理装置(10)中设有用于对喷嘴支承臂(82)进行清洗的臂清洗部(88)。
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公开(公告)号：CN105023863A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510217206.4
申请日：2015-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。
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公开(公告)号：CN105023863B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201510217206.4
申请日：2015-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。
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公开(公告)号：CN103515220A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310230866.7
申请日：2013-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02057 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。在不对基板的基底层造成损伤的情况下良好地将去除对象层去除。在本发明中，基板处理装置（1）用于向在基底层的表面上形成有去除对象层的基板（3）供给硫酸与过氧化氢水的混合液而将去除对象层去除，包括：基板处理室（16），用于处理基板；基板保持部件（12），设于基板处理室内，用于保持基板；混合液供给部件（13），用于以不会对基底层造成损伤的温度和过氧化氢水的混合比向由基板保持部件保持着的基板供给硫酸与过氧化氢水的混合液；OH基供给部件（14），用于向基板供给含有OH基的流体，OH基供给部件供给含有在混合液与OH基在基板上混合时不会对基底层造成损伤的量的OH基的流体。
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公开(公告)号：CN103377882A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310145382.2
申请日：2013-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02076 , G03F7/423 , H01L21/31133 , H01L21/6708
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，在SPM处理中兼顾抗蚀剂膜的去除效率的提高和膜损耗的降低。基板处理方法包括以下工序：通过将加热后的硫酸和过氧化氢水混合而生成充分含有具有抗蚀剂膜剥离效果的卡罗酸的第1温度的SPM液；在生成上述第1温度的SPM液的工序之后，将上述SPM液冷却到具有膜损耗降低效果的第2温度；以及通过使上述第2温度的SPM液接触抗蚀剂膜而去除抗蚀剂膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111383961A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911356979.5
申请日：2019-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种能够适当地进行基板表面的蚀刻处理的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置具有：保持部，其保持基板；处理液供给部，其对被保持部保持着的所述基板供给处理液；以及电阻值变更机构，其能够变更与所述基板接触的所述保持部的电阻。
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公开(公告)号：CN102610488A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210016401.7
申请日：2012-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/68728 , B08B3/04 , B08B3/041 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/6719 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供一种液处理装置及液处理方法，其能够防止由附着在用于支承喷嘴的喷嘴支承臂上的污垢污染处理室内的基板。液处理装置(10)包括：处理室(20)，其在内部设有用于保持基板(W)的基板保持部(21)和配设在该基板保持部(21)的周围的杯(40)；喷嘴(82a)，其用于向保持在基板保持部(21)的基板W供给流体；喷嘴支承臂，其用于支承喷嘴(82a)。在液处理装置(10)中设有用于对喷嘴支承臂(82)进行清洗的臂清洗部(88)。
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公开(公告)号：CN117642845A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280046683.7
申请日：2022-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理系统具备批量处理部、单片处理部以及搬送部。所述批量处理部通过将多张基板浸在贮存于处理槽的臭氧水中，来对多张所述基板一并进行处理。所述单片处理部利用药液对所述基板逐张地进行处理，所述搬送部将所述基板保持湿润的状态从所述批量处理部搬送到所述单片处理部。
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公开(公告)号：CN117497448A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310888429.8
申请日：2023-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置、供给系统、基板处理方法以及供给方法，回收高纯度的冲洗液或干燥液。本公开的基板处理装置具备保持部、处理杯、第一供给部、第二供给部、排放部以及第一测定部。保持部用于保持基板。处理杯设置于保持部的周围。第一供给部用于向保持于保持部的基板供给药液。第二供给部用于向保持于保持部的基板供给冲洗液或干燥液。排放部设置于处理杯的底部，经由线路切换部来与排放线路及回收线路连接。第一测定部设置于排放部，测定冲洗液或干燥液的纯度。
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公开(公告)号：CN111383961B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN201911356979.5
申请日：2019-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种能够适当地进行基板表面的蚀刻处理的基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理装置具有：保持部，其保持基板；处理液供给部，其对被保持部保持着的所述基板供给处理液；以及电阻值变更机构，其能够变更与所述基板接触的所述保持部的电阻。
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