公开(公告)号：CN115547879A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210717705.X

申请日：2022-06-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小佐井一树 ,  有动英明 ,  藤本诚也 ,  高永悠大 ,  中庄谷孝仁 ,  福井祥吾 ,  穴本笃史 ,  长田创

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够抑制微粒的增加。基板处理装置具备罐、循环线路、分支线路、处理部、排出部、供给部及控制部。所述控制部具有第一判定部、第一补充控制部、计算部及第二补充控制部。所述第一判定部判定所述罐内的所述处理液的贮存量是否小于下限值。在所述第一判定部判定为所述贮存量小于所述下限值的情况下，所述第一补充控制部通过所述供给部向所述罐补充所述处理液。所述计算部计算每设定时间通过所述供给部向所述罐补充所述处理液的补充量。在由所述计算部计算的所述补充量的计算值小于设定值的情况下，所述第二补充控制部通过所述排出部使所述罐的所述贮存量减少，并通过所述供给部向所述罐补充所述处理液。

公开(公告)号：CN108292599B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201680068848.5

申请日：2016-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小佐井一树 ,  甲斐義广 ,  五师源太郎 ,  小宫洋司 ,  藤本诚也 ,  大塚贵久

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

Abstract: 基板处理装置具备：基板保持部(31)，其保持基板(W)；外喷嘴(45)，其以使基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式从比被基板保持部保持的基板的外周缘靠外侧的位置朝向基板的表面喷出处理液；以及致动器(46、90)，其能够变更外喷嘴的高度位置或俯仰角。

公开(公告)号：CN115349163B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202180025344.6

申请日：2021-04-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本谅 ,  藤本诚也 ,  水野刚资 ,  竹口博史 ,  薮田贵士 ,  山下敦 ,  池田义谦 ,  冈本英一郎 ,  五月女竜太

IPC: H01L21/304

Abstract: 基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。

公开(公告)号：CN109216180B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201810716004.8

申请日：2018-07-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 东博之 ,  大塚贵久 ,  篠原和義 ,  中泽贵士 ,  藤本诚也 ,  道木裕一

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。

公开(公告)号：CN115349163A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202180025344.6

申请日：2021-04-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山本谅 ,  藤本诚也 ,  水野刚资 ,  竹口博史 ,  薮田贵士 ,  山下敦 ,  池田义谦 ,  冈本英一郎 ,  五月女竜太

IPC: H01L21/304

Abstract: 基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。

公开(公告)号：CN109216180A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810716004.8

申请日：2018-07-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 东博之 ,  大塚贵久 ,  篠原和義 ,  中泽贵士 ,  藤本诚也 ,  道木裕一

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。

公开(公告)号：CN108292599A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068848.5

申请日：2016-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小佐井一树 ,  甲斐義广 ,  五师源太郎 ,  小宫洋司 ,  藤本诚也 ,  大塚贵久

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 基板处理装置具备：基板保持部(31)，其保持基板(W)；外喷嘴(45)，其以使基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式从比被基板保持部保持的基板的外周缘靠外侧的位置朝向基板的表面喷出处理液；以及致动器(46、90)，其能够变更外喷嘴的高度位置或俯仰角。