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公开(公告)号：CN117410202A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310820209.1
申请日：2023-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , B08B3/02 , B08B3/08
Abstract: 本发明提供能够提高将除去对象物从基片除去的处理的面内均匀性的基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括基片保持部、流体供给部、处理液供给部、喷嘴、流体流量调节部和控制部。基片保持部用于以可旋转的方式保持基片。流体供给部用于供给包含被加压后的纯水的蒸气或雾的流体。处理液供给部用于供给至少包含硫酸的处理液。喷嘴与流体供给部和处理液供给部连接，用于向基片释放流体与处理液的混合流体。流体流量调节部用于对在流体供给部流动的流体的流量进行调节。控制部用于控制流体流量调节部。控制部能够控制流体流量调节部来调节流体相对于处理液的比例。
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公开(公告)号：CN108987309B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201810551247.0
申请日：2018-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质。当使用低表面张力的处理液时，防止来自喷嘴的处理液供给停止后的液体下落，定量地控制开闭阀关闭期间的处理液流量，并且减小处理液的消耗量。控制部(4)在从将处理液以第一流量从喷嘴(40)向基片(W)供给的状态起停止供给来自喷嘴的处理液时，使开闭阀(716)从打开状态转变为关闭状态，并且进行将比第一流量小的第二流量作为流量目标值给予流量控制机构(715)的停止控制，最晚至开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变之前。
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公开(公告)号：CN110931389A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910875980.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括循环管线、过滤器、加热部、供给管线和冷却部。循环管线使处理液循环。过滤器设置在循环管线，用于从处理液中除去异物。加热部设置在循环管线中比过滤器靠下游侧处，用于加热处理液。供给管线在比过滤器和加热部靠下游侧处与循环管线连接，将处理液供给到基片。冷却部设置在循环管线中比过滤器、加热部以及循环管线与供给管线的连接点靠下游侧处，用于冷却处理液。本发明能够抑制在加热了处理液的情况下过滤器的除去性能降低。
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公开(公告)号：CN107591345A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710543742.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤：向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13)；在供给处理液的步骤(S12、S13)之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。
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公开(公告)号：CN109216180B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201810716004.8
申请日：2018-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108987309A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810551247.0
申请日：2018-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67023 , H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67253 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质。当使用低表面张力的处理液时，防止来自喷嘴的处理液供给停止后的液体下落，定量地控制开闭阀关闭期间的处理液流量，并且减小处理液的消耗量。控制部(4)在从将处理液以第一流量从喷嘴(40)向基片(W)供给的状态起停止供给来自喷嘴的处理液时，使开闭阀(716)从打开状态转变为关闭状态，并且进行将比第一流量小的第二流量作为流量目标值给予流量控制机构(715)的停止控制，最晚至开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变之前。
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公开(公告)号：CN110931389B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201910875980.2
申请日：2019-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括循环管线、过滤器、加热部、供给管线和冷却部。循环管线使处理液循环。过滤器设置在循环管线，用于从处理液中除去异物。加热部设置在循环管线中比过滤器靠下游侧处，用于加热处理液。供给管线在比过滤器和加热部靠下游侧处与循环管线连接，将处理液供给到基片。冷却部设置在循环管线中比过滤器、加热部以及循环管线与供给管线的连接点靠下游侧处，用于冷却处理液。本发明能够抑制在加热了处理液的情况下过滤器的除去性能降低。
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公开(公告)号：CN107591345B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201710543742.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理方法和基板液处理装置。能够稳定地抑制水痕等微少微粒的产生。基板处理方法包括以下步骤：向旋转的基板供给处理液的步骤(S12、S13)；在供给处理液的步骤(S12、S13)之后，向旋转的基板的中心部供给冲洗液来在基板上形成冲洗液的液膜的步骤(S14)。具有在形成冲洗液的液膜的步骤(S14)之前、在处理液的液膜中断了的基板的周缘部形成处理液的液膜的步骤(S13)。
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公开(公告)号：CN115394682A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210534474.9
申请日：2022-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够使多个液处理模块之间的液处理的温度偏差降低的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括多个液处理模块。多个液处理模块在水平方向和垂直方向中的至少一个方向上排列配置，用于向基片供给处理液来进行液处理。液处理模块具有液处理单元、热源区域和风扇。液处理单元用于对基片进行液处理。热源区域在液处理单元的下方具有热源。风扇用于对热源区域进行冷却。
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公开(公告)号：CN109216180A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810716004.8
申请日：2018-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。
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