公开(公告)号：CN113113281A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202011590290.1

申请日：2020-12-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 赤羽和彦 ,  塚原利也 ,  李星在 ,  尹南虎 ,  徐智洙

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及边缘环和基板处理装置。达成使用于等离子体处理的边缘环的更换频率的降低和在等离子体处理中的微粒的产生的抑制。边缘环具有第一上表面和第二上表面，第一上表面由碳化硅、碳化钨、氧化镁或者氧化钇形成，第二上表面形成于比第一上表面低的位置，与晶圆的周缘部的下表面相对，并且由硅形成。

公开(公告)号：CN112992642A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011416602.7

申请日：2020-12-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李星在 ,  塚原利也 ,  佐藤充明 ,  佐藤彻治

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够降低用于等离子体处理的边缘环的更换频率并且抑制传热气体的泄漏的边缘环和基片处理装置。边缘环具有环状的第一部件和环状的第二部件，第一部件在下表面具有凹部并且由具有耐等离子性的第一材料形成，第二部件配置在第一部件的凹部并且由与第一材料相比刚性低的第二材料形成。