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公开(公告)号：CN100456433C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200510123269.X
申请日：2005-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种聚焦环，是在利用等离子体对载置在气密性处理容器内的载置台上的基板表面进行蚀刻的等离子体蚀刻装置中使用、以围绕所述基板周围的方式设置的聚焦环。聚焦环中，在靠近其表面的内侧处，具有对该区域进行精加工，使其平均表面粗糙度Ra小到蚀刻处理时不捕捉反应生成物的程度的第一区域，在所述第一区域的外侧，具有对该区域进行a精加工，使其平均表面粗糙度R大到能捕捉所述反应生成物的第二区域。第一区域和第二区域的界限，是将聚焦环组装到等离子体蚀刻装置中，利用等离子体对基板进行蚀刻时，消耗程度相对于其他部位大幅度变化的部位。
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公开(公告)号：CN108735654B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201810329959.8
申请日：2018-04-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种抑制基板的位置偏移的销控制方法和基板处理装置。在销控制方法中，对支承基板并被多个驱动部分别上下地驱动的多个销的高度位置分别进行测定，使用所测定出的多个销的高度位置来从多个销中选择作为速度控制的基准的基准销，针对选择出的基准销，估计从测定多个销的高度位置起经过规定时间后的高度位置即基准高度位置，计算用于使除了基准销以外的其它销的高度位置与估计出的基准高度位置一致的调整速度，控制用于驱动其它销的驱动部来将其它销的驱动速度调整为所述调整速度。
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公开(公告)号：CN105379428A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480038871.0
申请日：2014-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32816 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02104 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 等离子体处理装置包括：形成有使内部空间与处理空间连通的连通孔的电介质部件；隔着内部空间的第一电极和第二电极；将第一处理气体供给到内部空间的第一气体供给机构；第一高频电源，其将第一高频电力供给到第一电极和第二电极中的至少任一者，生成第一处理气体的第一等离子体；减压机构，其将第一等离子体中的自由基和第一处理气体导入至处理空间；第二高频电源，其供给第二高频电力，生成第一处理气体的第二等离子体，并将离子引入至被处理体；和控制部，其控制第一高频电力的全部电功率的大小，调整第二等离子体中的自由基量，控制第一高频电力的比率，调整第二等离子体中的离子量。
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公开(公告)号：CN105379428B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201480038871.0
申请日：2014-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32816 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/02104 , H01L21/3065 , H01L21/67069
Abstract: 等离子体处理装置包括：形成有使内部空间与处理空间连通的连通孔的电介质部件；隔着内部空间的第一电极和第二电极；将第一处理气体供给到内部空间的第一气体供给机构；第一高频电源，其将第一高频电力供给到第一电极和第二电极中的至少任一者，生成第一处理气体的第一等离子体；减压机构，其将第一等离子体中的自由基和第一处理气体导入至处理空间；第二高频电源，其供给第二高频电力，生成第一处理气体的第二等离子体，并将离子引入至被处理体；和控制部，其控制第一高频电力的全部电功率的大小，调整第二等离子体中的自由基量，控制第一高频电力的比率，调整第二等离子体中的离子量。
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公开(公告)号：CN102262999B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201110146665.X
申请日：2011-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32633 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32834
Abstract: 本发明提供一种即使处理气体进入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间中，也很容易将其排出的等离子体处理装置。在该装置中设有：在处理室(102)的顶壁(105)中与下部电极(111)相对以升降自如的方式设置，且设有导入处理气体的多个吹出孔(123)的上部电极(120)；围绕各个电极和其间的处理空间的周围的保护侧壁(310)；设置于保护侧壁的内侧，排出处理空间的气体的内侧排气通道(330)；和设置于保护侧壁的外侧，排出流入上部电极和顶壁之间的空间的处理气体的外侧排气通道(138)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102262999A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110146665.X
申请日：2011-05-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32633 , C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/32568 , H01J37/32651 , H01J37/32834
Abstract: 本发明提供一种即使处理气体进入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间中，也很容易将其排出的等离子体处理装置。在该装置中设有：在处理室(102)的顶壁(105)中与下部电极(111)相对以升降自如的方式设置，且设有导入处理气体的多个吹出孔(123)的上部电极(120)；围绕各个电极和其间的处理空间的周围的保护侧壁(310)；设置于保护侧壁的内侧，排出处理空间的气体的内侧排气通道(330)；和设置于保护侧壁的外侧，排出流入上部电极和顶壁之间的空间的处理气体的外侧排气通道(138)。
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公开(公告)号：CN105742150A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610214055.1
申请日：2011-03-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。基板处理装置能够抑制在移动电极与筒状容器的一个端壁之间的空间里产生等离子体。基板处理装置(10)包括：用于收容晶圆(W)的筒状的腔室(11)、在该腔室(11)内沿腔室(11)的中心轴线移动自如的喷头(23)、在腔室(11)内与喷头(23)相对的基座(12)、用于将喷头(23)和腔室(11)的盖(14)连接起来的伸缩自如的波纹管(31)，向位于喷头(23)和基座(12)之间的处理空间(PS)施加高频电力并且导入处理气体，喷头(23)与腔室(11)的侧壁(13)不接触，并配设有将喷头(23)与腔室(11)的盖(14)或者侧壁(13)电连接的分流构件(35)。
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公开(公告)号：CN100525577C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200610093138.6
申请日：2006-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以防止电极板的损坏、并且可以防止部件个数的增加从而可以防止维护性的恶化的等离子体处理装置的电极组件。上部电极组件具有上部电极板(32)、冷却板(C/P)(34)、以及被配置在上部电极板(32)和C/P(34)之间的隔板(37)。上部电极板(32)具有贯通该上部电极板(32)的电极板气体通气孔(32a)。C/P(34)具有贯通该C/P(34)的C/P气体通气孔(34a)。隔板(37)具有贯通该隔板(37)的隔板气体通气孔(37a)。电极板气体通气孔(32a)、C/P气体通气孔(34a)和隔板气体通气孔(37a)不配置在同一直线上。
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公开(公告)号：CN1929713A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610093138.6
申请日：2006-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以防止电极板的损坏、并且可以防止部件个数的增加从而可以防止维护性的恶化的等离子体处理装置的电极组件。上部电极组件具有上部电极板(32)、冷却板(C/P)(34)、以及被配置在上部电极板(32)和C/P(34)之间的隔板(37)。上部电极板(32)具有贯通该上部电极板(32)的电极板气体通气孔(32a)。C/P(34)具有贯通该C/P(34)的C/P气体通气孔(34a)。隔板(37)具有贯通该隔板(37)的隔板气体通气孔(37a)。电极板气体通气孔(32a)、C/P气体通气孔(34a)和隔板气体通气孔(37a)不配置在同一直线上。
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公开(公告)号：CN107431012B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201680021637.6
申请日：2016-04-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种蚀刻被蚀刻层的方法。在本发明的一实施方式的方法中，在吸附工序中，对下部电极不施加高频偏压而使由处理气体生成的自由基吸附于被蚀刻层。在接下来的蚀刻工序中，对下部电极施加高频偏压，并将由处理气体生成的离子引入被蚀刻层。吸附工序与蚀刻工序交替地重复。在吸附工序中，自由基的密度为离子的密度的200倍以上。在蚀刻工序中，功率密度为0.07W/cm2以下的RF能量供给至下部电极或功率密度为0.14W/cm2以下的高频偏压在0.5秒以下的期间供给至下部电极。
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