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公开(公告)号：CN106920733A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201611175990.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32798 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32165 , H01J37/32568 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32926 , H01J2237/334 , H01J2237/3343 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01J37/32431 , H01J37/32532 , H01J37/32642
Abstract: 本发明提供抑制伴随聚焦环的消耗而产生的孔的倾斜度的变动的等离子体处理装置(1)，其包括腔室(10)、载置台(16)、聚焦环(24a)、第1电极板(36)和第2电极板(35)。聚焦环(24a)以包围载置台(16)的载置面的方式设置在载置台的周围。第1电极板设置在载置台的上方。第2电极板以包围第1电极板的方式设置在第1电极板的周围，与第1电极板绝缘。等离子体处理装置在第1步骤中利用在腔室内生成的等离子体对载置于载置台的载置面的半导体晶片(W)实施规定的处理。另外，等离子体处理装置在第2步骤中根据第1步骤的经过时间，使施加在第2电极板的负的直流电压的绝对值增加。
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公开(公告)号：CN106206235B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610365275.4
申请日：2016-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和聚焦环，其能够抑制伴随聚焦环的消耗的空孔的倾斜度的变动。等离子体处理装置包括腔室、载置台(2)和聚焦环(8)。在腔室中对半导体晶片(W)进行等离子体处理。载置台(2)设置在腔室的内部，具有用于载置半导体晶片(W)的保持面(9a)。聚焦环(8)以包围载置于保持面(9a)的半导体晶片(W)的方式设置在载置台的周围，从内周侧向外周侧去依次形成有比保持面(9a)低的第一平坦部(8a)、比第一平坦部(8a)低的第二平坦部(8b)和比第一平坦部(8a)高的第三平坦部(8c)。
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公开(公告)号：CN106206235A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610365275.4
申请日：2016-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32642 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01J2237/334 , H01L21/67069
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和聚焦环，其能够抑制伴随聚焦环的消耗的空孔的倾斜度的变动。等离子体处理装置包括腔室、载置台(2)和聚焦环(8)。在腔室中对半导体晶片(W)进行等离子体处理。载置台(2)设置在腔室的内部，具有用于载置半导体晶片(W)的保持面(9a)。聚焦环(8)以包围载置于保持面(9a)的半导体晶片(W)的方式设置在载置台的周围，从内周侧向外周侧去依次形成有比保持面(9a)低的第一平坦部(8a)、比第一平坦部(8a)低的第二平坦部(8b)和比第一平坦部(8a)高的第三平坦部(8c)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106504969B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610766213.4
申请日：2016-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的目的在于使聚焦环的吸附特性稳定化。本发明提供一种聚焦环，其在处理容器内配置于载置基板的下部电极的周缘部、与该下部电极的部件接触，上述聚焦环的接触面由含硅材料、氧化铝(Al2O3)和石英中的任一者形成，上述聚焦环的接触面和上述下部电极的部件的接触面中的至少一者为0.1μm以上的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN106504969A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610766213.4
申请日：2016-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: B24B37/32 , B24B37/20 , H01J37/32642
Abstract: 本发明的目的在于使聚焦环的吸附特性稳定化。本发明提供一种聚焦环，其在处理容器内配置于载置基板的下部电极的周缘部、与该下部电极的部件接触，上述聚焦环的接触面由含硅材料、氧化铝(Al2O3)和石英中的任一者形成，上述聚焦环的接触面和上述下部电极的部件的接触面中的至少一者为0.1μm以上的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN113113281A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202011590290.1
申请日：2020-12-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及边缘环和基板处理装置。达成使用于等离子体处理的边缘环的更换频率的降低和在等离子体处理中的微粒的产生的抑制。边缘环具有第一上表面和第二上表面，第一上表面由碳化硅、碳化钨、氧化镁或者氧化钇形成，第二上表面形成于比第一上表面低的位置，与晶圆的周缘部的下表面相对，并且由硅形成。
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公开(公告)号：CN111146065A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911070184.8
申请日：2019-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供载置台和基板处理装置。对边缘环与静电卡盘之间的相对的侧壁的间隙进行管理。提供一种载置台，该载置台具有：边缘环，其配置于基板的周围；静电卡盘，其具有载置所述基板的第1载置面和载置所述边缘环的第2载置面；以及具有伸缩性的构件，其配置于所述静电卡盘的所述第1载置面和所述第2载置面之间的侧面与所述边缘环的内径面之间，且是配置于低于所述第1载置面的位置。
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公开(公告)号：CN106920733B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201611175990.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供抑制伴随聚焦环的消耗而产生的孔的倾斜度的变动的等离子体处理装置(1)，其包括腔室(10)、载置台(16)、聚焦环(24a)、第1电极板(36)和第2电极板(35)。聚焦环(24a)以包围载置台(16)的载置面的方式设置在载置台的周围。第1电极板设置在载置台的上方。第2电极板以包围第1电极板的方式设置在第1电极板的周围，与第1电极板绝缘。等离子体处理装置在第1步骤中利用在腔室内生成的等离子体对载置于载置台的载置面的半导体晶片(W)实施规定的处理。另外，等离子体处理装置在第2步骤中根据第1步骤的经过时间，使施加在第2电极板的负的直流电压的绝对值增加。
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