公开(公告)号：CN113921361A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110749578.7

申请日：2021-07-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田吹圭司 ,  户根川大和 ,  五十岚一将 ,  矢部和雄

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/318

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，提供一种能够抑制微粒向基板的附着的技术。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有纵型的筒体状，在处理容器的侧壁形成有开口，在所述处理容器内部将多个基板分多层收容；等离子体划分壁，其气密地设置于所述处理容器的外壁，覆盖所述开口并且规定等离子体生成空间；等离子体电极，其沿着所述等离子体划分壁设置；以及处理气体供给部，其设置于所述等离子体生成空间的外部，供给等离子体生成用气体。

公开(公告)号：CN106409718A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201510461147.5

申请日：2015-07-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本山丰 ,  福岛讲平 ,  松永正信 ,  田吹圭司 ,  户根川大和

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/54 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67098

Abstract: 本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法，在将呈搁板状保持有多个基板的保持件输入到反应容器内并向反应容器内供给处理气体而进行成膜处理时，能够提高基板间的膜厚的均匀性。该立式热处理装置构成为包括：气体供给部，其用于向反应容器内供给成膜气体；以及气体分布调整构件，其以分别位于比保持于基板保持件的多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置。并且，气体分布调整构件包含设于比基板保持件的顶板靠下方的位置且是比基板保持件的底板靠上方的位置的、分别形成有凹凸的第1板状构件和第2板状构件，第1板状构件具有第1表面积，第2板状构件具有与第1表面积不同的第2表面积。