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公开(公告)号：CN117198928A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310624811.8
申请日：2023-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 五十岚一将 , 户根川大和 , 小川淳 , 田中有纪
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够控制对象膜的蚀刻量。本公开的一个方式的基板处理方法包括以下工序：准备表面具有包含硅、碳以及氮的对象膜的基板；向所述对象膜供给氢气和氧气，使所述对象膜的表层氧化来形成氧化膜；以及对所述氧化膜进行蚀刻。
