公开(公告)号：CN115087186A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210212618.9

申请日：2022-03-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林健 ,  安藤武 ,  五十岚一将

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供能够实现稳定的等离子体点火的点火方法和等离子体处理装置。该点火方法是在等离子体处理装置中的点火方法，上述等离子体处理装置包括：高频电源，其施加被控制为可变的频率的高频；等离子体生成部，其具有能够被施加上述高频的电极，从气体生成等离子体；和设置于上述高频电源与上述电极之间的匹配器，上述点火方法包括：从上述高频电源将第1频率的高频施加到上述电极，用上述等离子体生成部将等离子体点火的工序；和从上述高频电源施加上述第1频率的高频起经过规定时间后，施加与上述第1频率的高频不同的第2频率的高频。

公开(公告)号：CN115704095A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210916231.1

申请日：2022-08-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松浦广行 ,  安藤武 ,  小林健

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/34 ,  C23C16/503 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供能够提高等离子体密度的等离子体处理装置和成膜方法。等离子体处理装置在基片形成膜，并包括：设置于处理容器内的反应管；晶舟，其保持基片，并能够被送入和送出上述反应管内；等离子体生成部，其与上述反应管连通，从气体生成等离子体；气体供给部，其对上述等离子体生成部供给上述气体；电极设置部，其以夹着上述等离子体生成部的方式设置，并包括电极；RF电源，其与上述电极连接，对上述电极供给高频；线圈，其与上述电极隔开间隔地设置于上述电极设置部内；以及直流电源，其与上述线圈连接，对上述线圈供给直流电流。

公开(公告)号：CN113948362A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110748982.2

申请日：2021-07-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松浦广行 ,  安藤武

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供一种能够延长干式清洗周期的技术。根据本公开的一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器，具有在侧壁上形成有开口的筒体状，并且多级地容纳多个基板；等离子体区划壁，气密地设置在所述处理容器的侧壁上，并且覆盖所述开口并对等离子体生成空间进行界定；第一等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力；以及第二等离子体电极对，包括与所述等离子体区划壁的两侧的外表面相对地布置的一对电极，并且被施加RF电力。