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公开(公告)号：CN117836908A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056923.1
申请日：2022-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , C23F1/16 , C23G1/02 , H01L21/306
Abstract: 一种基板处理方法，用于处理基板，所述基板处理方法包括：对所述基板的表面进行磨削；向磨削后的所述基板的表面供给蚀刻液，来蚀刻该表面；以及向蚀刻后的所述基板的表面供给清洗液，来去除附着于该表面的金属。另外，一种基板处理系统，用于处理基板，所述基板处理系统具有：磨削部，其对所述基板的表面进行磨削；蚀刻液供给部，其向磨削后的所述基板的表面供给蚀刻液，来蚀刻该表面；以及清洗液供给部，其向蚀刻后的所述基板的表面供给清洗液，来去除附着于该表面的金属。
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公开(公告)号：CN113348534B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202080009765.5
申请日：2020-01-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 对将第二基板与形成有器件层的第一基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理装置具有：保持部，其保持所述第二基板的背面；处理部，其对保持于所述保持部的所述第一基板进行处理；第一处理液供给部，其向所述第一基板中与所述器件层相反的一侧的表面供给第一处理液，来蚀刻该第一基板的表面；以及第二处理液供给部，其向所述第二基板的背面供给第二处理液，来去除该第二基板的背面的金属污染。
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公开(公告)号：CN117501415A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202280042497.6
申请日：2022-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 一种基板处理方法，对基板进行处理，所述基板处理方法包括对基板的一个面供给至少包含氢氟酸和硝酸的蚀刻液，来对该一个面进行蚀刻，所述一个面的蚀刻包括：将隔着所述基板的旋转中心设定于往复运动的两端部的折返地点之间的距离即扫描宽度、以及使蚀刻液供给部往复运动的扫描速度决定为使第一时间比第二时间短的条件，所述第一时间是在该蚀刻液供给部通过所述旋转中心后直到在所述往复运动的端部折返并再次通过所述旋转中心为止的时间，所述第二时间是直到供给到所述旋转中心的所述蚀刻液由于伴随所述基板的旋转产生的离心力而被排出到所述基板的外周部为止的时间；以及以所决定的所述扫描宽度和所述扫描速度对所述一个面进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN118522661A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410167230.0
申请日：2024-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置中的处理液的流量估计方法和基板处理装置，适当地测定向基板供给的处理液的流量。流量估计方法是向基板的表面供给处理液来进行液处理的基板处理装置中的处理液的流量估计方法。在进行供给的工序中，一边使用将基板以能够旋转的方式保持的基板保持部使基板旋转，一边从处理液供给部向基板的离开中心的位置供给处理液。在进行拍摄的工序中，使用摄像部拍摄基板的表面上的通过处理液的扩散而形成的液膜。在进行估计的工序中，根据摄像部的拍摄结果来计算表示处理液的扩散状态的特征量，并将所计算出的特征量应用于表示特征量与从处理液供给部向基板供给的处理液的流量之间的相关的相关函数，来估计处理液的流量。
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公开(公告)号：CN117836911A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202280056879.4
申请日：2022-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 一种基板处理方法，用于处理基板，所述基板处理方法包括：向所述基板的表面供给包含氢氟酸和磷酸的蚀刻液，来蚀刻该表面；回收蚀刻后的所述蚀刻液；测定蚀刻后的所述基板的厚度分布；以及基于所测定出的所述厚度分布，针对在蚀刻后回收到的所述蚀刻液至少选择氢氟酸或磷酸进行添加，来调整该蚀刻液的组成比率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118983257A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411022567.9
申请日：2019-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , B23K26/53
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，用于对基板进行处理，所述基板处理装置具有：第一改性装置，其用于针对将第一基板的表面与第二基板的表面进行接合所得到的重合基板，在所述第一基板的内部形成沿面方向从中心部至少朝向该第一基板的作为去除对象的周缘部延伸的内部面改性层；第二改性装置，其用于在所述第一基板的内部形成沿所述周缘部与中央部的边界在厚度方向上延伸的周缘改性层；以及分离装置，其以所述内部面改性层为基点将所述第一基板的背面侧分离。
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公开(公告)号：CN109427627B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201810958419.6
申请日：2018-08-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制在紧接开始进行处理液的循环之后循环管线内的处理液被污染的液处理装置和液处理方法。实施方式所涉及的液处理装置具备罐、循环管线、泵、过滤器、背压阀以及控制部。罐用于贮存处理液。循环管线用于使从罐送出的处理液返回罐。泵用于形成循环管线中的处理液的循环流。过滤器设置于循环管线中的泵的下游侧。背压阀设置于循环管线中的过滤器的下游侧。控制部控制泵和背压阀。而且，控制部控制泵的喷出压力，以使在开始进行循环管线中的处理液的循环时，泵的喷出压力上升到规定的第一压力，并且在经过规定的时间后，泵的喷出压力增加到比第一压力大的第二压力。
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公开(公告)号：CN112400217B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201980046663.8
申请日：2019-07-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , B23K26/53 , H01L21/683
Abstract: 一种基板处理系统，用于对基板进行处理，所述基板处理系统具有：第一改性装置，其用于针对将第一基板的表面与第二基板的表面进行接合所得到的重合基板，在所述第一基板的内部形成沿面方向从中心部至少朝向该第一基板的作为去除对象的周缘部延伸的内部面改性层；第二改性装置，其用于在所述第一基板的内部形成沿所述周缘部与中央部的边界在厚度方向上延伸的周缘改性层；以及分离装置，其以所述内部面改性层为基点将所述第一基板的背面侧分离。
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公开(公告)号：CN112585722B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201980053053.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 根据本发明的一方式的基片处理方法包括：用可旋转的基片保持部(31)来保持基片的工序；在基片的上方配置顶板部(41)的工序；向基片供给处理液的工序；和向基片与顶板部(41)之间供给冲洗液(Lr)来用冲洗液(Lr)清洗基片和顶板部(41)的工序。
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公开(公告)号：CN112585722A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980053053.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 根据本发明的一方式的基片处理方法包括：用可旋转的基片保持部(31)来保持基片的工序；在基片的上方配置顶板部(41)的工序；向基片供给处理液的工序；和向基片与顶板部(41)之间供给冲洗液(Lr)来用冲洗液(Lr)清洗基片和顶板部(41)的工序。
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