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公开(公告)号：CN1277868C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN00801746.8
申请日：2000-08-24
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种特别是用于磁记录介质时，电磁转换特性、走行耐久性和对磁头的走行性优良的高品质双向取向薄膜。本发明的目的是通过下述双向取向薄膜实现的，其特征在于它由以聚酯(聚合物1)和聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)作为必须成分的聚合物合金构成，至少1个表面具有突起高度为2～50nm的微细突起100万～9000万个/mm2。
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公开(公告)号：CN1107589C
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN98802279.6
申请日：1998-06-12
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: B32B27/08 , B29C55/065 , B29C55/12 , B29C55/143 , B29K2067/00 , B32B7/12 , B32B27/20 , B32B27/36 , B32B2307/518 , B32B2367/00 , B32B2429/00 , C08J5/18 , C08J2367/02 , G11B5/7305 , Y10S428/91 , Y10T428/24355 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/25 , Y10T428/28 , Y10T428/2804 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明提供双轴取向聚酯膜，其特征在于它具有至少1层主要由聚对苯二甲酸丙二醇酯形成的膜层的聚酯膜，而且，80℃下30分钟的热收缩率为0.8%以下。该膜具有优异的耐磨性，作为磁记录的介质特别有用。
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公开(公告)号：CN101313357B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200680043797.7
申请日：2006-09-21
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G11B5/7305
Abstract: 本发明提供一种尺寸稳定性、抗裂性优异的支持体，所述支持体特别是在形成磁记录介质时，能够制得由环境变化所引起的尺寸变化小、出错率少的高密度磁记录介质。本发明的磁记录介质用支持体，是在聚酯薄膜的两面设有含金属系氧化物的层即M层，并且这些M层的厚度均为50～200nm的磁记录介质用支持体，其特征在于，该磁记录介质用支持体的总光线透过率为0～75％，各个表面的表面电阻率为1×102～1×1013Ω。
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公开(公告)号：CN1450952A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN00819298.7
申请日：2000-03-07
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G11B5/7305 , B29C59/16 , B29C2035/0827 , B29K2067/00 , B29K2105/256 , B29K2995/0072 , B29K2995/0087 , B29L2007/008 , B29L2017/008 , C08J5/18 , C08J7/123 , C08J2367/02 , G11B5/73 , G11B5/8404 , Y10S428/90 , Y10T428/24355 , Y10T428/31681 , Y10T428/31786
Abstract: 作为例如数字记录方式的盒式磁带等磁性记录介质的基膜特别有用的聚酯薄膜，及其制造方法。通过在未拉伸阶段或拉伸完成前阶段的薄膜表面照射紫外光，使在该表面中形成细微突起，制造聚酯薄膜。薄膜表面的细微突起是，该表面的十点平均粗糙度Rz和中心线平均粗糙度Ra之比(Rz/Ra)小于20，表层部分的羧基浓度和内部的羧基浓度之比通过细微突起的个数未特定。
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公开(公告)号：CN1358624A
公开(公告)日：2002-07-17
申请号：CN01143568.2
申请日：2001-12-13
Applicant: 东丽株式会社
IPC: B32B27/00
CPC classification number: G11B5/733 , B32B27/36 , C08J5/18 , C08J2367/02 , C08J2379/08 , C08L67/02 , C08L79/08 , C08L81/06 , Y10S428/90 , Y10T428/24942 , Y10T428/31721 , Y10T428/31725 , Y10T428/31786 , C08L2666/14
Abstract: 通过对具有优良尺寸稳定性和对低聚物的抑制性且由聚酯和聚酰亚胺构成的聚酯薄膜的表面特性进行改良并减少其粗大突起,可以提供一种能够显示优良的电磁转换特性,特别是可作为高密度记录介质使用的聚酯薄膜。这是一种由聚酯和聚酯以外吸热塑性树脂构成的薄膜,在其至少一侧表面上的粗大突起数H1(高度在0.28μm以上的突起数)为0－100(个/100cm2)以及在该表面上的粗大突起数H2(高度在0.56μm以上的突起数)为0－10(个/100cm2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109312088B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201780037532.4
申请日：2017-06-07
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明涉及至少一个表面的突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×107～1×109个/mm2的双轴拉伸热塑性树脂膜。提供具有易滑性并且可以抑制粗大突起、异物、加工工序中的缺陷的产生的热塑性树脂膜。
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公开(公告)号：CN102459429A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080031380.5
申请日：2010-05-11
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G11B5/7305 , C08J5/18 , C08J2367/02 , C08J2479/08 , Y10T428/24479 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明提供了一种双轴取向聚酯膜，其特别是在作为磁记录介质的基膜使用时，温度、湿度的环境变化或保存造成的尺寸变化小，可以制成错误率少、并且磁头、磁性带体的磨削少、行走耐久性优异的高密度磁记录介质。本发明提供了具有海岛结构、岛部分的平均分散直径为30～200nm，膜的长度方向和宽度方向的至少一方向的湿度膨胀系数为0～6.0ppm/％RH以下的双轴取向聚酯膜。
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公开(公告)号：CN1198719C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN99120257.0
申请日：1999-09-24
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: B32B27/36 , B29C55/143 , B29K2067/00 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B2038/0028 , B32B2307/518 , B32B2429/00 , G11B5/7305 , G11B5/733 , Y10S428/91 , Y10T428/24355 , Y10T428/2495 , Y10T428/24967 , Y10T428/24975 , Y10T428/25 , Y10T428/31786
Abstract: 双轴取向聚酯膜包括至少两层和至少一层最外层是由具有硬质无定形含量为约10-55%的聚酯组成。该双轴取向聚酯膜具有至少约4.5GPa的纵向杨氏模量。双轴取向聚酯膜适合高密度磁性记录介质如数字摄像带和高密度数据记录带。
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公开(公告)号：CN109312088A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037532.4
申请日：2017-06-07
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明涉及至少一个表面的突起高度为1nm以上且小于2nm的突起个数为1×107～1×109个/mm2的双轴拉伸热塑性树脂膜。提供具有易滑性并且可以抑制粗大突起、异物、加工工序中的缺陷的产生的热塑性树脂膜。
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公开(公告)号：CN102459429B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201080031380.5
申请日：2010-05-11
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: G11B5/7305 , C08J5/18 , C08J2367/02 , C08J2479/08 , Y10T428/24479 , Y10T428/31786
Abstract: 本发明提供了一种双轴取向聚酯膜，其特别是在作为磁记录介质的基膜使用时，温度、湿度的环境变化或保存造成的尺寸变化小，可以制成错误率少、并且磁头、磁性带体的磨削少、行走耐久性优异的高密度磁记录介质。本发明提供了具有海岛结构、岛部分的平均分散直径为30～200nm，膜的长度方向和宽度方向的至少一方向的湿度膨胀系数为0～6.0ppm/％RH以下的双轴取向聚酯膜。
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