双轴取向聚酯膜
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117980143A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202280064281.X

    申请日:2022-09-06

    Abstract: [课题]提供一种具有平滑的脱模面的双轴取向聚酯膜,其通过在两面具有高度平滑的表面,从而抑制卷绕成卷后表面形状对脱模层造成的转印粗糙。[解决手段]一种双轴取向聚酯膜,在其一个面(A面)和另一个面(B面)中,在将由以下方法得到的各视场中的最大突起高度的值中属于前5%的值的最大突起高度的值分别记为Sp5%A(nm)、Sp5%B(nm)的情况下,Sp5%A为110以下,Sp5%B为150以上且1000以下。(最大突起高度测定方法)利用扫描型白色干涉显微镜(VertScan),使用10倍物镜,在100个视场中测定561μm见方的视场的表面图像,求出各视场中的最大突起高度Sp值,将这些SP值中属于前5%的值作为Sp5%值。

    层叠聚酯膜及聚酯膜的制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116745117A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202280008354.3

    申请日:2022-01-24

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种再利用性高、适合于后续工序中的加工的层叠聚酯膜。一种层叠聚酯膜,具有聚酯膜、以及满足以下的条件的层X。条件1:20≦γXP≦45条件2:3.0≦γXH≦10γXP(mN/m):层X的表面自由能的极性成分γXH(mN/m):层X的表面自由能的氢键成分。

    双轴取向热塑性树脂膜
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111566148A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN201880081984.7

    申请日:2018-11-27

    Abstract: 提供一种双轴取向热塑性树脂膜,通过使双轴取向热塑性树脂膜的至少一侧的表面中,最大突起高度小于20nm,并且在将高度为1nm以上且小于2nm的突起的个数设为A(个/mm2)、将高度为3nm以上且小于20nm的突起的个数设为B(个/mm2)的情况下,B/A为0.001以上且5以下,从而使其具有良好的透明性、平滑性和易滑性,进一步使制膜/加工工序中的损伤耐性提高。

    聚酯膜
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107922648A

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201680049079.4

    申请日:2016-08-17

    CPC classification number: C08J5/18

    Abstract: 本发明提供一种聚酯膜,其光密度与厚度(μm)之比(光密度(OD)/厚度(T))为0.22以上且2.0以下,在差示扫描量热测定(DSC)中,在熔融状态下保持5分钟后,以10℃/分钟的降温速度冷却时的降温结晶化温度Tmc为180℃以上且210℃以下的范围内具有峰,由此使其遮蔽性和制膜性优异,受到光照射后的收缩性也优异,适合作为电子设备的遮光基材。

    双轴取向热塑性树脂膜
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113056360B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN201980075895.6

    申请日:2019-11-08

    Abstract: 通过至少一面的表面满足以下(1)、(2)的双轴取向热塑性树脂膜,从而提供具有良好的平滑性和卷绕性的双轴取向热塑性树脂膜。(1)在将通过非接触光学式粗糙度测定而测得的高度10nm以上的突起密度设为A(个/mm2)的情况下,A为2.0×103以上且2.5×104以下。(2)在将通过原子力显微镜(AFM:Atomic Force Microscope)测定而测得的高度1nm以上且小于10nm的突起密度设为B(个/mm2)的情况下,B为1.8×106以上且1.0×107以下。

    聚酯膜
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107922648B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN201680049079.4

    申请日:2016-08-17

    Abstract: 本发明提供一种聚酯膜,其光密度与厚度(μm)之比(光密度(OD)/厚度(T))为0.22以上且2.0以下,在差示扫描量热测定(DSC)中,在熔融状态下保持5分钟后,以10℃/分钟的降温速度冷却时的降温结晶化温度Tmc为180℃以上且210℃以下的范围内具有峰,由此使其遮蔽性和制膜性优异,受到光照射后的收缩性也优异,适合作为电子设备的遮光基材。

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