转印方法及热纳米压印装置

    公开(公告)号:CN104865792A

    公开(公告)日:2015-08-26

    申请号:CN201510155419.9

    申请日:2013-04-30

    Abstract: 使用微细图案形成用膜(II),在被处理体(20)上转印赋予以下第1掩模层(13)及第2掩模层(12),所述微细图案形成用膜(II)具有在一侧的表面上形成有纳米尺度的凹凸结构(11)的覆盖膜(10)、设置于所述凹凸结构(11)的凹部内部的第2掩模层(12)、覆盖所述凹凸结构(11)及所述第2掩模层(12)而设置的第1掩模层(13);此处,使设置有第1掩模层(13)的表面朝向所述被处理体(20)的表面,按压微细图案形成用膜(II),对第1掩模层(13)照射能量射线,接着,将覆盖膜(10)从第2掩模层(12)及第1掩模层(13)上分离。此处,按压和能量射线照射分别独立进行。使用第2掩模层(12)及第1掩模层(13),蚀刻被处理体(20)。

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