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1.

发明授权
双向取向薄膜以及磁记录介质失效

公开(公告)号：CN1277868C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN00801746.8

申请日：2000-08-24

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 窪田啓 , 中岛彰二 , 中森由佳里 , 恒川哲也

IPC: C08J5/18 , B32B27/36 , G11B5/73 , C08L67/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种特别是用于磁记录介质时，电磁转换特性、走行耐久性和对磁头的走行性优良的高品质双向取向薄膜。本发明的目的是通过下述双向取向薄膜实现的，其特征在于它由以聚酯(聚合物1)和聚酯以外的热塑性树脂(聚合物2)作为必须成分的聚合物合金构成，至少1个表面具有突起高度为2～50nm的微细突起100万～9000万个/mm2。

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