公开(公告)号：CN101313357A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200680043797.7

申请日：2006-09-21

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 堀江将人 ,  佐藤诚 ,  东大路卓司 ,  中森由佳里 ,  渡边宏聪

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/78

CPC classification number: G11B5/7305

Abstract: 本发明提供一种尺寸稳定性、抗裂性优异的支持体，所述支持体特别是在形成磁记录介质时，能够制得由环境变化所引起的尺寸变化小、出错率少的高密度磁记录介质。本发明的磁记录介质用支持体，是在聚酯薄膜的两面设有含金属系氧化物的层即M层，并且这些M层的厚度均为50～200nm的磁记录介质用支持体，其特征在于，该磁记录介质用支持体的总光线透过率为0～75％，各个表面的表面电阻率为1×102～1×1013Ω。

公开(公告)号：CN101313357B

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200680043797.7

申请日：2006-09-21

Applicant: 东丽株式会社

Inventor： 堀江将人 ,  佐藤诚 ,  东大路卓司 ,  中森由佳里 ,  渡边宏聪

IPC: G11B5/73 ,  G11B5/78

CPC classification number: G11B5/7305

Abstract: 本发明提供一种尺寸稳定性、抗裂性优异的支持体，所述支持体特别是在形成磁记录介质时，能够制得由环境变化所引起的尺寸变化小、出错率少的高密度磁记录介质。本发明的磁记录介质用支持体，是在聚酯薄膜的两面设有含金属系氧化物的层即M层，并且这些M层的厚度均为50～200nm的磁记录介质用支持体，其特征在于，该磁记录介质用支持体的总光线透过率为0～75％，各个表面的表面电阻率为1×102～1×1013Ω。