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公开(公告)号：CN118336355A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410410173.4
申请日：2024-04-07
Applicant: 上海大学 , 惠州硕贝德无线科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种1‑bit双极化重构装置以及5G通讯设备。所述装置包括双极化匹波座、微带辐射组件以及单波束调相组件；微带辐射组件包括微带贴片辐射件以及微带滤波件，微带贴片辐射件包括相互连接的第一介质层以及地板层；微带滤波件包括第二介质层以及至少一个直流微带电板；单波束调相组件包括第一金属条带、第二金属条带、第一开关管以及第二开关管；至少一个直流微带电板与第一开关管的控制端以及第二开关管的控制端电连接。通过调控第一开关管以及第二开关管，以切换其导通与截止状态，使得1‑bit双极化重构装置具有相位差，便于消除产生的对称波束，有效地抑制了对称波束的产生，以实现了单波束扫描的功能。
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公开(公告)号：CN116505273A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310255145.5
申请日：2023-03-16
Applicant: 上海大学 , 惠州硕贝德无线科技股份有限公司
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种准N比特双极化相位独立可调的可重构超表面，包括：多个双极化相位独立可调的可重构超表面单元；每个超表面单元包括微带贴片辐射层、与微带贴片辐射层相贴设置的耦合缝隙地板层、与耦合缝隙地板层相贴设置的微带线调相层及金属反射板；微带贴片辐射层包括第一介质板及与第一介质板相贴设置的第二介质板，第一介质板与第二介质板上均设置有金属贴片；耦合缝隙地板层上开设有一工作于TM极化的第一异形缝隙与一个工作于TE极化的第二异形缝隙；微带线调相层包括相互独立的TE极化调相微带线与TM极化调相微带线。根据本发明，可以实现斜入射范围内准N比特调相，具有双极化单波束扫描的功能。
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公开(公告)号：CN117448817A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311421842.X
申请日：2023-10-30
Applicant: 苏州硕贝德创新技术研究有限公司 , 惠州硕贝德无线科技股份有限公司
Abstract: 本申请属于塑胶表面处理技术领域，本申请实施例提供一种塑胶表面金属镀层结构及其制备方法。所述金属镀层结构由所述塑胶表面开始依次为PVD镀底层金属层、PVD镀中间金属层、PVD镀打底金属层和电镀表层金属层；所述电镀表层金属层的厚度大于所述PVD镀打底金属层的厚度，且所述PVD镀打底金属和所述电镀表层金属为同一种金属。本申请先利用了PVD镀沉积速度快，操作温度低，不易造成塑胶基材变形的特性，将前面几层金属层镀于塑胶基材上，然后利用电镀工艺相对简单，且能够避免导线性能良好的贵金属材料的浪费的特性，实现表层金属层的镀设，在提高波导天线产能的同时，而且有效降低了波导天线金属化制程的成本，实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN115133266A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210901055.4
申请日：2022-07-28
Applicant: 苏州硕贝德创新技术研究有限公司 , 惠州硕贝德无线科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种用于SIP射频模组的封装天线，包括：电路板；设置在电路板一侧的介质层，介质层包括依次连接的天线介质层、传输线介质层和植球介质层，植球介质层和电路板相接；天线介质层内部设置有天线模块，天线模块包括天线辐射体，天线辐射体设置在天线介质层远离传输线介质层一侧的外表面，天线辐射体为溅射形成的金属层；传输线介质层内部设置有射频传输线模块；植球介质层内部设置有植球模块和芯片裸片；其中，芯片裸片设置在植球介质层内部靠近传输线介质层的一侧。如此，通过在多层介质层内设置天线模块、射频传输线模块和植球模块，并将溅射形成的金属层作为天线辐射体，提高封装天线的整合度，解决现有封装天线的整合度较低问题。
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公开(公告)号：CN119028871A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410823389.3
申请日：2024-06-25
Applicant: 惠州硕贝德无线科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种基于毫米波智能反射面结构的SIP系统集成封装预警方法。所述方法包括获取反射面天线子阵板的基板封装状态参数；将基板封装状态参数与预设封装状态参数进行子阵规复差分处理，以得到子阵封装复杂差分量；根据子阵封装复杂差分量向SIP封装系统发送毫米波智能反射面封装预警启闭信号，以确定毫米波智能反射面结构的封装合格状态。通过对基板封装状态参数的采集，便于确定反射面天线子阵板中基板的当前封装情况，之后将其与指定的封装状态进行比较，以确定反射面天线子阵板的基板封装复杂差异程度，根据上述差异程度，对毫米波智能反射面的当前封装可靠性进行预警，便于对毫米波智能反射面结构的封装合格及时预警。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113163577B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110244795.0
申请日：2021-03-05
Applicant: 苏州硕贝德创新技术研究有限公司 , 惠州硕贝德无线科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了芯片与电路板间的封装互连结构、芯片封装方法，通过在重新布线层中的第二走线层上设置第一镂空结构，第三走线层上设置第二镂空结构，以及在电路板的电路板线路层上设置第三镂空结构，减少第二走线层、第三走线层及电路板线路层的面积，有效抑制了不同层间的电容，减小传输损耗。当需要使用较大直径的焊球进行焊接时，通过镂空结构来降低传输损耗，使得实际应用中焊球球径的选择更加灵活。
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公开(公告)号：CN113937530A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202010611421.3
申请日：2020-06-29
Applicant: 苏州硕贝德创新技术研究有限公司 , 惠州硕贝德无线科技股份有限公司
IPC: H01R13/02 , H01R13/648 , H01R13/631 , H01R24/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50
Abstract: 本申请涉及天线技术领域，提供的一种一体化天线连接器及天线，所述天线包括一体化天线连接器和馈电单元，所述一体化天线连接器包括外导体以及处于所述外导体内部的内芯；所述外导体设置在天线板的一侧表面，且与所述天线板一体成型；所述外导体的外表面设置有第一金属层，所述第一金属层连接所述天线板的接地层，所述外导体内表面设置有阻抗层；所述内芯贯穿所述天线板，并连接所述天线板另一侧的传输线。在实际应用过程中，所述一体化天线连接器的外导体与天线板一体成型，避免预留大量的连接器焊接口，避免由于焊接误差导致后续器件的安装误差，且能够避免因连接器焊接导致的无法安装，从而提高信号建站的建设效率。
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公开(公告)号：CN118713701A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410755276.4
申请日：2024-06-12
Applicant: 惠州硕贝德无线科技股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种准3bit超表面波束相位调控方法。所述方法包括获取准3bit超表面的阵列种群适应度；对阵列种群适应度进行种群迭代差分处理，得到迭代适应差分值；根据迭代适应差分值选取对应的量化相位分布状态，以调整准3bit超表面的各阵列单元的二极管工作状态。通过对阵列种群适应度的采集，以确定准3bit超表面在入射波束下各阵列单元的扫描适应度，之后通过对其的种群迭代差分处理，以确定准3bit超表面上的各阵列单元对应的适应度差异情况，最后根据上述差异，对补偿相位进行量化，以确定最优的预相位分布情况，使得反射波束的指向更加精准，有效地提高了波束指向精准性。
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公开(公告)号：CN115621741B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202211340517.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 惠州硕贝德无线科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种相控阵天线、射频无线电路及5G移动设备。上述的相控阵天线，包括毫米波射频模组及弧形超材料结构，毫米波射频模组设有至少一毫米波射出面；弧形超材料结构形成有至少一弧形凹面，每一弧形凹面与相应的毫米波射出面正对设置。上述的相控阵天线，由于弧形超材料结构形成有至少一弧形凹面，相控阵天线进行波束扫描时，斜入射的波垂直入射到弧形超材料结构的弧面上，由于垂直入射的波损耗最小，弧形超材料结构在增加相控阵天线的增益的同时还增加了相控阵天线的扫描角度，如此减小了相控阵天线的扫描损耗，同时使相阵控天线在同等增益效果条件下所需的空间较小，进而使相控阵天线更好地适配电子产品的集成度的增加的需要。
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公开(公告)号：CN115621741A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211340517.6
申请日：2022-10-28
Applicant: 惠州硕贝德无线科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种相控阵天线、射频无线电路及5G移动设备。上述的相控阵天线，包括毫米波射频模组及弧形超材料结构，毫米波射频模组设有至少一毫米波射出面；弧形超材料结构形成有至少一弧形凹面，每一弧形凹面与相应的毫米波射出面正对设置。上述的相控阵天线，由于弧形超材料结构形成有至少一弧形凹面，相控阵天线进行波束扫描时，斜入射的波垂直入射到弧形超材料结构的弧面上，由于垂直入射的波损耗最小，弧形超材料结构在增加相控阵天线的增益的同时还增加了相控阵天线的扫描角度，如此减小了相控阵天线的扫描损耗，同时使相阵控天线在同等增益效果条件下所需的空间较小，进而使相控阵天线更好地适配电子产品的集成度的增加的需要。
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